Интегральные устройства РЭ. Белова И.В. - 55 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

36
Пр иложение А
Справочные данные для расчета ПЗ С-структур
0
ε
= 8,85 10
-1 8
Ф/мкм;
Д
ε
= 3,9;
П si
ε
ε
==
12;
Х
Д
= 0,1…0,2 мкм;
q = 1,6 10
-19
К;
1 = 2…10 мкм;
N
i
= N
Д
= 10
2
…10
3
мкм
-3
;
Q
пов
= 10
-10
…5·10
-8
К/см
2
;
n
i
= 1,5 10
10
см
-3
;
U
см
= 1…10 В.
Таблица А1
Зависимость контактной разности потенциалов в МДП-структуре
от степени легирования полупроводника (металл-алюминий)
ϕ
мдп
, В Концентрация атомов
примеси в Si, см
-3
Al – SiO
2
-n-Si Al-SiO
2
-p-Si
10
14
-0,36 -0,82
10
15
-0,30 -0,88
10
16
-0,24 -0,94
10
17
-0,18 -1,00

Страницы