Интегральные устройства РЭ. Белова И.В. - 57 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Лабораторная работа № 4

АНАЛИЗ КОНСТРУКЦИИ ЗУ НА ЦМД

ВВЕДЕНИЕ

За годы своего развития физика и техника цилиндрических магнитных

доменов (ЦМД) прошли путь от открытия физического явления в одноосных

ортоферритах до промышленного выпуска запоминающих устройств (ЗУ) с

плотностью записи 10

– 10

бит/см

на ЦМД в эпитаксиальных феррит-

гранатовых пленках.

ЦМД в микросхемах памяти выполняют роль физических носителей ин-

формации. Прис утс твие ЦМД означает запись «1», отсутс твие – запись «0».

Основное применение в качестве внешней памяти ЗУ на ЦМД нашло в систе-

мах, работающих в сложных условиях эксплуатации.

Для функционирования ЗУ нужно реализовать различные операции над

доменами –

генерацию, перенос, деление, аннигиляцию, считывание. Однако

успех элементной базы (элементов управления доменами) определяется, в пер-

вую очередь, ее способностью осуществлять основные функции – хранение и

перемещение массивов информации при минимальном энергопотреблении.

Наиболее глубоко разработаны ЗУ с управляющими элементами или элемента-

ми продвижения (ЭП) в виде магнитомягких пленочных аппликаций из пер-

маллоя 80Ni –

20Fe, располагающихся над поверхностью ЦМД–содержащей

эпитаксиальной пленки и управляемых вращающимся магнитным полем Н

упр

4.1. Цель работы

Цел ью работы является изучение работы ЗУ на ЦМД как устройства

функциональной электроники, а также знакомство с его организацией и конст-

руктивно- технологическим решением основных элементов и узлов.