Интегральные устройства РЭ. Белова И.В. - 59 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Рис. 4.1. Область устойчивого существования ЦМД (слева) и его

движение в поле постоянного градиента (справа).

ЦМД всегда сдвигается в сторону меньших значений Н

см

Каждому значению Н

см

в диапазоне устойчивости соответствует только

одно значение диаметра ЦМД. Поэ тому если искусственно разделить ЦМД на

две части (операция «репликации»), то последние немедленно восстанавливают

свою форму и размер, соответствующий заданному Н

см

ЦМД свободно перемещается в плоскости МПФГ под действием неодно-

родных полей Н

см

. При этом он всегда смещается в сторону меньших значений

см

. В однородных полях центр ЦМД всегда зафиксирован. На рисунке 1 спра-

ва показано поведение ЦМД при приложении к МПФГ неоднородного поля по-

стоянного градиента.

Дипольное отталкивание двух ЦМД, подобно отталкиванию магнитов, за-

ставляет «разносить» соседние ЭП в ЦМД – микросхеме на расстояние

≥4d.

Это расстояние называют пространственным периодом доменопродвигающей

структуры. Значение

реально ограничивает плотность записи информации в

ЦМД микросхемах. Площадь ЭП не может быть меньше

= 16d

; в то же вре-

мя дипольное взаимодействие ЦМД используют при выполнении логических

операций.

Верхний и нижний торцы ЦМД, выходящие на обе поверхности МПФГ,

являются источниками магнитостатического поля рассеяния, которое можно