Интегральные устройства РЭ. Белова И.В. - 60 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

41
зарегистрировать пленочными магниторезисторами.
4.3. ЦМД-материалы
Для образования ЦМД необходимо, чтобы намагниченнос ть пленки была
ориентирована перпендикулярно ее плоскости. Однако при такой ориентации
нормальная составляющая вектора намагниченнос ти на поверхности пленки
изменяется скачком, что приводит к возрастанию магнитной энергии по срав-
нению со случаем, когда намагниченность лежит в плоскости пленки.
Дополни-
тельная плотнос ть энергии составляет величину
μ
0
М
2
/2 для материала с намаг-
ниченнос тью М (
μ
0
=4
π⋅
10
-7
Гн/м – магнитная проницаемость вакуума). Таким
образом, энергетически выгодным является состояние, когда вектор М лежит в
плоскости пленки. ЦМД – материалы должны поэтому обладать некоторым
внутренним свойством, обеспечивающим предпочтительнос ть нормальной ори-
ентации вектора намагниченности. Таким свойством является
одноосная маг-
нитная анизотропия
. Плотнос ть энергии анизотропии К
одн
(константа одно-
осной анизотропии) определяется как выигрыш в энергии (на единицу объема),
который получается при нормальной к пленке ориентации намагниченнос ти по
сравнению со случаем, когда намагниченность лежит в плоскости пленки. От-
сюда следует, что ЦМД существуют только в том случае, когда К
одн
>
μ
0
М
2
/2.
Отношение
Q= К
одн
/(
μ
0
М
2
/2) (4.1)
Называется
фактором качества материала. Таким образом в ЦМД - ма-
териалах всегда Q>1.
На рисунке 4.2 показаны пределы, в которых могут изменяться основные
параметры трех классов кристаллических ЦМД – материалов: гранатов, орто-
ферритов и гексаферритов.
Жирная сплошная линия соответствует предельному значению Q=1. Па-

Страницы