Интегральные устройства РЭ. Белова И.В. - 62 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Анизотропия этих материалов связана с положением атомов в их

кристаллической структуре, и поэтому способ получения таких материалов со-

стоит в тщательно контролируемом выращивании монокристаллических пленок

на монокристаллических подложках.

4.4. Статическая устойчивость изолированных ЦМД

Как уже говорилось, ЦМД представляет собой цилиндрическую область

обратной намагниченности в тонкой магнитной пленке, обладающей преиму

щественно одноосной анизотропией К

одн

с ОЛН, ориентированной перпендику-

лярно поверхности пленки. Соответствующая магнитная конфигурация изо-

бражена схематически на рисунке 4.3. Обменная энергия препятствует резкому

изменению ориентации локальной намагниченности на границе домена, поэто-

му здесь имеется переходная область, в которой происходит плавный разворот

намагниченности на 180˚, так что углы между соседними спинами остаются

малыми. Эта переходная

область называется доменной стеной (границей) (ДГ)

ЦМД и характеризуется некоторой

Рис. 4.3. Поперечное сечение ЦМД.

шириной

. Неограниченному уширению доменной границы, которое со-

провождается уменьшением углов между соседними спинами и уменьшением

обменной энергии, препятствует одноосная анизотропия , поскольку при таком