Интегральные устройства РЭ. Белова И.В. - 63 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

44
уширении возрастает число спинов, отклоняющихся от ОЛН, и уве-
личивается энергия анизотропии. Таким образом имеется некоторая оптималь-
ная ширина ДГ, минимиз ирующая полную энергию. Эта ширина, а также плот-
ность энергии ДГ
σ
w
зависят от обменной константы А и константы анизо-
тропии К
одн
:
δ
w
= (А/ К
одн
)
1/2
;
σ
w
= 4(А К
одн
)
1/2
(4.2)
В теории ЦМД часто пользуются вместо σ
w
параметром
l =
σ
w
/
μ
0
М
2
(4.3)
называемым
характеристической длиной материала.
Пол ная энергия ЦМД Е может быть представлена для плас тины толщи-
ной h в виде:
Е = Е
w
+Е
н
+Е
м
=
ЦМ Д
s
∫
σ
w
ds -
μ
0
∫
Vф
(МН)dv -
μ
0
/2
∫
Vф
(МН
м
)dv,
где Е
w
– энергия доменной границы;
Е
н
– энергия взаимодействия намагниченнос ти М с внешним магнит-
ным полем Н;
Е
М
– магнитостатическая энергия;
S
цмд
– площадь боковой поверхности ЦМД;
V
ф
– объем ферромагнитного материала;
Н
м
– внутреннее размагничивающее поле.
Точное аналитическое решение этого уравнения является весьма слож-
ным из за трудности определения зависимости Е
м
от размеров ЦМД, однако
минимум полной энергии соответствует определенному диаметру ЦМД.

Страницы