ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
26
а) б)
Рис. 4.6. Схема предварительных усилителей: а - для мостовой и
б - для полумостовой схем ТДК
Расчет начинают с выбора напряжения U
2
.
1
)
4
3
(
2 бэнас
U
U
−
=
, (4.3)
где U
бэнас
=(1-2) В – напряжение насыщения база-эмиттер силового транзистора
конвертора (справочная величина).
Определяется значение балластного сопротивления R
б
:
.
1
12
б
I
бэнас
U
U
б
R
−
= (4.4)
R
б
необходимо для ограничения базового тока силового транзистора кон-
вертора (после замены транзистора) из-за разброса параметров h
21э
, U
бэ
.
+ Е
1
R
б
I
б 1
U
1
U
2
U
2
I
к 5
R
б
I
б
э
1
I
б
э
1
I
б
э
I
б
5
R
U
уу
U
уу
R
U
1
U
2
R
+ Е
1
I
к 3
I
б
э
1
I
б
1
I
VT5
VT3
T
T
+ Е1 + Е1
Rб I б1 R Iб
T T 1
U1 U2 I бэ1 U1 U2 I бэ1
Rб I бэ
U2 I бэ1
I к5 I к3
R I б5 R I
VT5 VT3
Uуу Uуу
а) б)
Рис. 4.6. Схема предварительных усилителей: а - для мостовой и
б - для полумостовой схем ТДК
Расчет начинают с выбора напряжения U2.
U = (3 − 4) U , (4.3)
2 бэнас1
где Uбэнас =(1-2) В – напряжение насыщения база-эмиттер силового транзистора
конвертора (справочная величина).
Определяется значение балластного сопротивления Rб:
U −U
R = 2 бэнас1 . (4.4)
б I
б1
Rб необходимо для ограничения базового тока силового транзистора кон-
вертора (после замены транзистора) из-за разброса параметров h21э, Uбэ.
26
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 24
- 25
- 26
- 27
- 28
- …
- следующая ›
- последняя »
