Расчет импульсных стабилизаторов напряжения. Беляев Ю.В - 27 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ДВФУ | Владивосток

Составители: 

Рубрика: 

27
Исходя из условия баланса мощностей, можно найти значения токов
I
к5
и I
к3
.
,
1
2
2
2
5
тр
U
I
U
k
I
η⋅
⋅
= ,
1
22
3
тр
U
I
U
k
I
η⋅
⋅
= (4.5)
где
кэнас
U
E
U
1
1
– амплитуда напряжения первичной обмотки трансформа-
тора; U
кэнас
– напряжение насыщения (U
кэнас
=0,7-1,5 В); Е
1
- напряжение ИПУУ
(Е
1
=5-15 В).
По I
к5
, I
к3
и U
кэmax
=E
1max
выбираются транзисторы VT5 (VT3). Желательно
выбирать транзисторы, у которых коэффициент усиления по току (h
21э
) макси-
мальный.
Ток управления I
б5
(I
б3
):
,
max
21
5
5
э
h
q
k
I
б
I
⋅
= ,
max
21
3
3
э
h
q
k
I
б
I
⋅
= (4.6)
где q=(1,2-2) – коэффициент насыщения транзистора.
Значение сопротивления R:
,
5
5
1
б
I
бэнас
U
вых
U
R
−
=
,
3
3
1
б
I
бэнас
U
вых
U
R
−
=
(4.7)
где U
1
вых
- напряжение логической единицы на выходе микросхемы логического
элемента “ и”. При выборе транзистора VT5 или VT3 необходимо соблюдать
условие I
1
выхмс
≥I
б5
(I
б3
). 
        Исходя из условия баланса мощностей, можно найти значения токов
Iк5 и Iк3.


                                  U ⋅ 2I                                     U ⋅I
                     I        =    2     2,                     I        =     2 2 , (4.5)
                         k5       U ⋅η тр                           k3       U ⋅η тр
                                   1                                          1


где U = E − U кэнас – амплитуда напряжения первичной обмотки трансформа-
     1   1
тора; Uкэнас – напряжение насыщения (Uкэнас=0,7-1,5 В); Е1 - напряжение ИПУУ
(Е1=5-15 В).
       По Iк5, Iк3 и Uкэmax=E1max выбираются транзисторы VT5 (VT3). Желательно
выбирать транзисторы, у которых коэффициент усиления по току ( h21э) макси-
мальный.
        Ток управления Iб5(Iб3):


                                   I        ⋅q                                 I        ⋅q
                     I        =        k5            ,          I        =         k3         , (4.6)
                         б5       h                                 б3       h
                                   21э max                                    21э max


где q=(1,2-2) – коэффициент насыщения транзистора.
       Значение сопротивления R:


                              U 1вых − U                                     U 1вых − U
                     R=                              бэнас5 ,                                     бэнас3 ,
                                                                    R=                                       (4.7)
                                            I                                            I
                                                б5                                           б3


где U1вых - напряжение логической единицы на выходе микросхемы логического
элемента “ и”. При выборе транзистора VT5 или VT3 необходимо соблюдать
условие I1выхмс≥Iб5 (Iб3).




                                                           27

Страницы