Проектирование и расчет усилителя мощности низкой частоты. Бердников А.В - 11 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КНИТУ-КАИ им. Туполева | Казань

Составители: 

Рубрика: 

11
Напряжение источника питания одной половины выходного каскада при
биполярном питании или половина напряжения общего источника питания,
определяется исходя из амплитуды выходного сигнала, при этом величина
напряжение питания Е выбирается минимум на (2..2.5)В больше
maxH
U
на
каждую комплементарную пару и зависит от количества пар (n) используемых
составных транзисторов.
nUЕ
H
*)5,2...2(
max
. (4)
Таким образом, напряжение питания Е увеличивается примерно на 2 В
на каждый примененный в одном плече транзистор.
Максимальный ток, протекающий через нагрузку приблизительно равен
коллекторному току выходного мощного транзистора;
H
H
HK
R
U
II
max
maxmax
, (5)
где I
Hmax
– максимальный ток, протекающий через нагрузку, при этом макси-
мальная мощность, рассеиваемая одним транзистором определяется:
н
R
E
P
2
2
max
, (6.)
На основании рассчитанных выше значений из справочной литературы
производится выбор мощных транзисторов выходного каскада, который
обычно осуществляется по следующим параметрам:
- предельная (граничная) частота – {f
h21э,
f
гр
};
- максимальный ток коллектора – I
Kmax
;
- максимально допустимое напряжение между коллектором и
эмиттером транзистора U
КЭmax
;
- максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе P
Kmax
;
- статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером
{h
21Э,
В
ст
, }.
При этом должны выполняться следующие условия:
.
maxmax
;2
max
;
maxmax
;2
21
н
P
К
P
E
КЭ
U
н
I
К
I
в
f
эh
f
(7)
      Напряжение источника питания одной половины выходного каскада при
биполярном питании или половина напряжения общего источника питания,
определяется исходя из амплитуды выходного сигнала, при этом величина
напряжение питания Е выбирается минимум на (2..2.5)В больше U H max на
каждую комплементарную пару и зависит от количества пар (n) используемых
составных транзисторов.
                          Е  U H max  (2...2,5) * n .              (4)
      Таким образом, напряжение питания Е увеличивается примерно на 2 В
на каждый примененный в одном плече транзистор.
      Максимальный ток, протекающий через нагрузку приблизительно равен
коллекторному току выходного мощного транзистора;
                                       U H max
                 I K max  I H max            ,                    (5)
                                        RH
где IHmax – максимальный ток, протекающий через нагрузку, при этом макси-
мальная мощность, рассеиваемая одним транзистором определяется:
                                E2
                 P                           ,                     (6.)
                  max
                              2 R
                                          н
     На основании рассчитанных выше значений из справочной литературы
производится выбор мощных транзисторов выходного каскада, который
обычно осуществляется по следующим параметрам:
     - предельная (граничная) частота – {fh21э, fгр};
     - максимальный ток коллектора – IKmax;
     - максимально допустимое напряжение между коллектором и
        эмиттером транзистора UКЭmax;
     - максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе PKmax;
     - статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером
        {h21Э, Вст, }.
     При этом должны выполняться следующие условия:

                 f         2f ;       
                  h 21 э       в       
                                       
                  I К max  I н max ;                          (7)
                                       
                  U            2E; 
                   КЭ max              
                                       
                   К max
                    P        Pн max 
                                     .




                                                                            11

Страницы