Проектирование и расчет усилителя мощности низкой частоты. Бердников А.В - 12 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КНИТУ-КАИ им. Туполева | Казань

Составители: 

Рубрика: 

12
В некоторых случаях необходимо учитывать температурный диапазон (если
он задан), а также совместимость транзисторов, т.е. транзисторы должны
образовывать комплементарную пару - для положительного и отрицательного плеч
усилителя. Выбор транзисторов комплементарной пары производится по
справочникам, ориентировочные пары транзисторов, удовлетворяющие заданию
на проектирование: КТ814…КТ819, КТ825…КТ827 и т.д.
Проведя выбор пары транзисторов выходного каскада, получаем
предельное значение коллекторного тока транзисторов в проектируемом
усилителе при выбранном значении напряжения питания:
H
предK
R
E
I
'
; (8)
Полученное значение
предK
I
'
необходимо вновь сравнить со справочными
данными предельных режимов выбранных транзисторов, для принятия
решения об обоснованности их выбора.
Максимальная величина базового тока транзисторов выходного каскада,
необходимая для обеспечения заданной мощности в нагрузке, определяется
соотношением
т
max
max
с
K
Б
B
I
I
. (9)
В
ст
- типовая величина статического коэффициента передачи по току в
схеме с общим эмиттером - справочные данные.
По рассчитанному значению I
Бmax
, при помощи входной характеристики
примененного транзистора (зависимости I
Б
= f(U
БЭ
)) определяем максимальное
значение напряжения перехода база – эмиттер U
БЭmax
.
В тех случаях, когда не удается воспользоваться графическими
зависимостями между входным (базовым) током I
б
и напряжением U
бэ
, расчет
может быть проведен для упрощенной модели базо-эмиттерного p-n перехода
транзистора по следующим выражениям:
1
*
exp*
T
бэ
боб
n
U
II
, где (10)
T
насбэ
насб
бо
n
U
I
I
*
exp
.
. (11)
Параметры транзистора, входящие в выражения U
бэ нас
и I
б нас
-
справочные данные, характеризующие параметры насыщенного базо-
эмиттерного перехода,
qkT
T
/
- температурный потенциал (для нормальных
условий принимается равным 25 мВ или 0.025В), n – характеризует число p-n
переходов в транзисторе (для обычных транзисторов n= 2, для составных >2.)
Исходя из выражений (10,11) можно получить зависимость падения
напряжения на базо-эмиттерном переходе U
бэ
от величины протекающего
базового тока.
      В некоторых случаях необходимо учитывать температурный диапазон (если
он задан), а также совместимость транзисторов, т.е. транзисторы должны
образовывать комплементарную пару - для положительного и отрицательного плеч
усилителя. Выбор транзисторов комплементарной пары производится по
справочникам, ориентировочные пары транзисторов, удовлетворяющие заданию
на проектирование: КТ814…КТ819, КТ825…КТ827 и т.д.
      Проведя выбор пары транзисторов выходного каскада, получаем
предельное значение коллекторного тока транзисторов в проектируемом
усилителе при выбранном значении напряжения питания:
                                           E
                            I ' K пред       ;                     (8)
                                           RH
     Полученное значение I ' K пред необходимо вновь сравнить со справочными
данными предельных режимов выбранных транзисторов, для принятия
решения об обоснованности их выбора.
     Максимальная величина базового тока транзисторов выходного каскада,
необходимая для обеспечения заданной мощности в нагрузке, определяется
соотношением
                                        I K max
                            I Б max            .                          (9)
                                         Bст
     В ст - типовая величина статического коэффициента передачи по току в
схеме с общим эмиттером - справочные данные.
     По рассчитанному значению IБmax, при помощи входной характеристики
примененного транзистора (зависимости IБ = f(UБЭ)) определяем максимальное
значение напряжения перехода база – эмиттер UБЭmax.
     В тех случаях, когда не удается воспользоваться графическими
зависимостями между входным (базовым) током Iб и напряжением Uбэ , расчет
может быть проведен для упрощенной модели базо-эмиттерного p-n перехода
транзистора по следующим выражениям:
                                     U             
                      I б  I бо * exp бэ          1 , где         (10)
                                     n * T         
                                  I б нас.
                      I бо 
                                  U        .                            (11)
                             exp бэ нас 
                                   n * T 
     Параметры транзистора, входящие в выражения Uбэ нас и Iб нас -
справочные данные, характеризующие параметры насыщенного базо-
эмиттерного перехода, T  kT / q - температурный потенциал (для нормальных
условий принимается равным 25 мВ или 0.025В), n – характеризует число p-n
переходов в транзисторе (для обычных транзисторов n= 2, для составных >2.)
     Исходя из выражений (10,11) можно получить зависимость падения
напряжения на базо-эмиттерном переходе Uбэ от величины протекающего
базового тока.


                                                                                 12

Страницы