Схемотехника аналоговых электронных устройств. Бессчетнова Л.В - 118 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СЗТУ | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

119
можно находить коэффициент гармоник также сначала для одного плеча
при его нагрузке на сопротивлении R
′
н
, а затем учитывать компенсацию
четных гармоник в двухтактной схеме, которая вследствие неизбежной
асимметрии плеч оказывается частичной. В результате, в плечах нагрузки
четные гармоники в значительной степени подавляются, что учитывается
коэффициентом асимметрии b = 0,1…0,15. Коэффициент гармоник для
двухтактной схемы, работающей в режиме А, выразится как
()
(
)
%100
I
bIIbI
K
m1
2
m4
2
m3
2
m2
г
⋅
++
= , (7.12)
где гармонические составляющие I
1m
, I
2m
, I
3m
, I
4m
рассчитываются в соот-
ветствии с (7.6).
7.2.2. Двухтактный каскад усиления в режиме В
Выходная динамическая характеристика двухтактного транзисторного
каскада для включения транзисторов по схеме ОЭ при угле отсечки кол-
лекторного тока
θ = π/2 (режим В) изображена на рис. 7.4, а соответст-
вующая сквозная динамическая характеристика – на рис. 7.5.
При построении указанных характеристик учтено, что коллекторные токи
плеч i
′
к
и i″
к
проходят по сопротивлению нагрузки R
d
в противоположных
направлениях и создаваемые ими падения напряжения имеют противопо-
ложную полярность (противоположные направления осей ординат и осей
абсцисс на графиках рис. 7.4 и 7.5). Взаимное расположение осей ординат
определяется одинаковыми для обоих плеч исходными питающими на-
пряжениями (Е
′
к
= Е″
к
для выходной характеристики и Е′
бэ0
= Е″
бэ0
для
сквозной), оси абсцисс совмещаются, т.к. в обоих случаях это соответст-
вует I
к0
≈ 0. Угол наклона выходной динамической характеристики опре-
деляется сопротивлением R
d
.
Выделяемая транзисторами обоих плеч полезная мощность
()
2
IU
2
IUE
P
maxккэmmaxкостк
~
=
−
= . (7.13)
Графически эта мощность определяется площадью треугольника ABC
(рис. 7.4).
Следует указать на важность выбора остаточного напряжения U
ост
дос-
таточной величины во избежание нелинейных искажений за счет кривиз-
ны статических характеристик в области, близкой к режиму насыщения, и
инерционных процессов, связанных с переходом от режима насыщения к
нормальной работе транзистора в активной области характеристик.

Страницы