Составители:
122
Определение нелинейных искажений
В отличие от расчета для режима А, при определении нелинейных ис-
кажений в режиме В необходимо исходить из сквозной динамической ха-
рактеристики разностного тока для каскада в целом (рис. 7.5). При этом
значения разностного тока, необходимые для определения коэффициента
гармоник по методу пяти ординат, с учетом коэффициента асимметрии
плеч b находятся следующим
образом [1]:
(
)
()
()
()
⎪
⎪
⎪
⎭
⎪
⎪
⎪
⎬
⎫
′
−−=
′
−−=
′
=
′
+=
′
+=
.Ib1I
;Ib1I
;Ib2I
;Ib1I
;Ib1I
maxкminк
1к2к
0к0к
1к1к
maxкmaxк
(7.16)
Далее по (7.6) рассчитываются гармонические составляющие и по вы-
ражению (1.14) рассчитывается коэффициент гармоник.
7.3. Температурная стабилизация исходного режима мощных
оконечных транзисторов
При работе мощных оконечных транзисторов в режиме В температур-
ная стабилизация за счет линейной обратной связи по постоянному току,
широко используемая в каскадах малой мощности, работающих в режиме
А, неприемлема. Это объясняется тем, что включение в эмиттерные цепи
оконечных транзисторов сопротивлений R
э
, достаточных для эффективно-
го действия обычной эмиттерной схемы стабилизации, резко снижает уси-
ление по мощности. Поэтому в рассматриваемом случае стабилизация ис-
ходного коллекторного тока осуществляется обычно с помощью нелиней-
ных сопротивлений. При этом ЭДС смещения Е
бэ0
по мере повышения
температуры должна уменьшаться, а по мере ее понижения увеличиваться
с таким расчетом, чтобы исходный коллекторный ток оставался неизмен-
ным.
На рис. 7.7 изображена схема стабилизации исходного режима око-
нечных транзисторов, работающих в режиме В, основанная на примене-
нии термосопротивления R
т
, имеющего отрицательный температурный
коэффициент сопротивления.
Общим недостатком температурно-зависимых сопротивлений является
их значительная тепловая инерция, а также то обстоятельство, что они
реагируют на изменения температуры окружающей среды или радиатора в
то время, как относительно кратковременные превышения температуры
p-n – перехода ими не учитывается. Выходом из положения является при-
менение безынерционных нелинейных сопротивлений
, какими являются,
например, полупроводниковые диоды и транзисторы.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 119
- 120
- 121
- 122
- 123
- …
- следующая ›
- последняя »
