Схемотехника аналоговых электронных устройств. Бессчетнова Л.В - 73 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СЗТУ | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

73
3.5. Практическое определение основных технических
показателей транзисторного каскада
Выражения для технических показателей транзисторного каскада,
приведенные в таблице 3.1, составлены с расчетом обеспечения наиболь-
шего удобства и наглядности их исследования.
Несколько другая группировка членов этих выражений и дальнейшее
пренебрежение членами, мало влияющими в практических условиях на
величины технических показателей, позволяют значительно упростить
выражения для практического расчета показателей.
В таблице 3.2 приведены простые
приближенные формулы, обеспечи-
вающие точность, вполне достаточную для большинства практических
расчетов. В этой таблице ввиду весьма малых практических значений со-
противления нагрузки R
2
коэффициент передачи по току K
I
во всех случа-
ях и входное сопротивление для схем ОБ и ОЭ принимаются равными их
значениям в режиме короткого замыкания. Малые значения R
2
позволяют
также считать коэффициент передачи по напряжению K
E
для схем ОБ и
ОЭ пропорциональным сопротивлению нагрузки.
Выражения для K
E
по существу представляют собой произведение ко-
эффициента передачи по току на отношение сопротивления нагрузки к
полному сопротивлению входной цепи.
Выражение для входного сопротивления схемы ОК получено в пред-
положении, что r
э
<< r
к
(1 − α ) и R
2
<< r
к
(1 − α), а выражение для ее вы-
ходного сопротивления – в предположении, что r
б
<< r
к
и R
1
<< r
к
. Выра-
жения для выходного сопротивления схем ОБ и ОЭ соответствуют табли-
це 3.1.
Выражения для коэффициента усиления по мощности K
P
получены как
произведения соответствующих значений K
U
и K
I
, причем K
U
равно K
Е
при R
1
= 0.
Формулы таблицы 3.2 применимы при использовании транзистора в
пределах линейных участков его характеристик, причем первичные пара-
метры транзистора должны определяться для исходной рабочей точки
(параметры малых сигналов).
Первичные параметры транзистора могут быть определены следую-
щим образом. Сопротивление эмиттера с достаточной точностью опреде-
ляется [1] из соотношения
0э
э
I
26
r =
, (3.7)
где I
э0
– ток эмиттера в исходной рабочей точке, выраженный в мА.
Сопротивления коллектора и базы определяются с помощью значений
h – параметров транзистора для исходной рабочей точки из выражений:

Страницы