Составители:
75
б22
к
h
1
r ≈
(3.8)
или
э22
к
h
1β
r
+
= , (3.9)
б22
б12
б
h
h
r = (3.10)
или
э22
э12э
б
h
hhΔ
r
−
= . (3.11)
Здесь h – параметры с индексом б относятся к схеме ОБ, а с индексом э – к
схеме ОЭ; определитель Δh
э
= h
11э
h
22э
– h
12э
h
21э
.
Значение h
21э
= β обычно приводится в справочниках. Иногда приво-
дятся значения и других h – параметров. Вообще же h – параметры могут
быть легко измерены.
Как уже указывалось в 3.3, сопротивление базы r
б
= r′
б
+ r′′
б
, где r′
б
и
r′′
б
– его объемная и диффузионная составляющие.
Объемное сопротивление базы r′
б
определяется как
(
)
0к
3
2
б
I
1015...12
α1
α
r
−
⋅
⋅
−
≈
′
(3.12)
− для германиевых транзисторов и
(
)
0к
3
2
б
I
1030...25
α1
α
r
−
⋅
⋅
−
≈
′
(3.13)
− для кремниевых транзисторов.
В выражениях (3.12) и (3.13) I
к0
– ток коллектора транзистора в исход-
ной рабочей точке. Входящий в выражения (3.12) и (3.13) параметр α =
h
21б
– коэффициент усиления по току для включения ОБ.
Объемная составляющая диффузионного сопротивления базы, ото-
бражающая влияние изменений напряжения коллекторного перехода на
эффективную толщину базы (эффект Эрли)
()
1βr
2
1
r
эб
+≈
′′
, (3.14)
где
α1
α
hβ
э21
−
== .
Для расчета технических показателей схем ОБ, ОЭ и ОК необходимо
иметь три соответствующих комплекта h – параметров (параметры h
б
, h
э
и
h
к
).
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 72
- 73
- 74
- 75
- 76
- …
- следующая ›
- последняя »
