Составители:
78
Переходя к рассмотрению работы транзистора при больших уровнях
сигнала, следует иметь в виду, что существуют три области поля характе-
ристик транзистора:
1)
активная область, определяемая прямым смещением на эмиттер-
ном p-n – переходе и обратным смещением на коллекторном p-n –
переходе;
2)
область отсечки, определяемая обратным смещением на обоих p-n
– переходах;
3)
область насыщения, определяемая прямым смещением на обоих p-
n – переходах.
На рис. 4.1 приведено семейство выходных статических характеристик
транзистора для включения ОЭ с указанием перечисленных областей поля
характеристик.
Граница области отсечки 2 определяется начальным неуправляемым
током I
кн
и практически соответствует запиранию транзистора. Область
насыщения 3 характеризуется резкими искривлениями статических харак-
теристик, получаемыми при переходе к токам в направлении проводимо-
сти коллекторного p-n – перехода.
В режиме усиления может использоваться только
активная область 1,
в пределах которой транзистор открыт, а между токами коллектора и базы
существует зависимость, близкая к линейной.
Рис. 4.1. Выходные статические характеристики
транзистора при включении ОЭ
u
кэ
i
к
3
2
1
I
кн
i
б6
i
б5
i
б4
i
б3
i
б2
i
б1
0
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 75
- 76
- 77
- 78
- 79
- …
- следующая ›
- последняя »
