Составители:
79
Рассмотрение работы каскада при больших уровнях сигнала в целях
упрощения проводится обычно для установившегося режима и некоторой
достаточно низкой частоты, для которой параметры усилительных эле-
ментов можно считать вещественными величинами (например, f = 1 кГц).
Сопротивления нагрузки и источника сигналов предполагаются обыч-
но активными, а влиянием реактивных элементов внешних цепей (индук-
тивность трансформатора
, разделительные и блокировочные емкости) на
частоте порядка 1 кГц при правильном выборе этих элементов можно
пренебречь.
Для выполнения графического расчета режима необходимо на основе
статических характеристик транзистора построить динамические характе-
ристики транзисторного каскада. Удобно начинать с построения выходной
динамической характеристики i
2
= F(u
2
), используя для этой цели семейст-
во выходных статических характеристик транзистора, поскольку, как это
будет видно из дальнейшего изложения, при линейном сопротивлении на-
грузки эта динамическая характеристика представляет собой прямую ли-
нию. На основании выходной динамической характеристики и семейства
входных статических характеристик транзистора строится входная дина-
мическая характеристика i
1
= F(u
1
). На основании выходной и входной ди-
намических характеристик строится проходная динамическая характери-
стика i
2
= F(u
1
), и, наконец, на основании этой характеристики в соответ-
ствии с сопротивлением источника сигналов – сквозная динамическая ха-
рактеристика i
2
= F(e
ист
).
Выходная динамическая характеристика
Построение начнем с исходного режима. В этом случае напряжение
сигнала отсутствует, а схема замещения выходной цепи соответствует
рис. 4.2. Здесь Е
к
– напряжение питания коллекторной цепи; R
к0
– сопро-
тивление нагрузки коллекторной цепи для постоянного тока; R
вых
– вы-
ходное сопротивление транзистора.
Очевидно, что
E
к
= i
к
R
к0
+ u
кэ
. (4.1)
В уравнении (4.1) два неизвестных − i
к
и u
кэ
. Это объясняется тем, что
u
кэ
= iR
вых
, в то время как R
вых
является нелинейным параметром, завися-
щим от положения рабочей точки на поле характеристик.
Для определения этих неизвестных используем дополнительно графиче-
ски заданную зависимость i
к
= F(u
кэ
), представляющую собой статическую
характеристику транзистора для выбранного тока смещения базы I
б0
(рис.
4.3). Уравнение (4.1) и зависимость i
к
= F(u
кэ
) будем разрешать совместно
графически. Для этой цели представим уравнение (4.1) в виде
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 76
- 77
- 78
- 79
- 80
- …
- следующая ›
- последняя »
