Схемотехника аналоговых электронных устройств. Бессчетнова Л.В - 80 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СЗТУ | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

81
напряжения U
R0
, создаваемое током I
к0
в сопротивлении R
к0
. Действитель-
но, U
R0
= I
к0
ctgϕ
0
, где ϕ
0
– угол наклона динамической характеристики по
отношению к отрицательному направлению оси абсцисс, который может
быть определен как
0к
0к
к
к0
arcctgR
R
E
:Earcctgφ =
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
= . (4.2а)
Напряжение , приложенное в исходном режиме к выходным электродам
транзистора, U
кэ0
= Е
к
– U
R0
=Е
к
– I
к0
R
к0
. При R
к0
= 0 (режим короткого за-
мыкания или статический режим) ϕ
0
= π/2. При R
к0
=∞ (режим холостого
хода) ϕ
0
= 0, и динамическая характеристика совпадает с отрицательным
направлением оси абсцисс.
При конечных значениях R
к0
угол наклона динамической характеристики
0 < ϕ
0
< π/2, причем ϕ
0
тем меньше, чем больше R
к0
.
Построение
выходной динамической характеристики для перемен-
ного тока производится, исходя из сопротивления нагрузки коллекторной
цепи R
к∼
для переменного тока, так что для этой характеристики
ϕ
∼
= arcctgR
к∼
. (4.2б)
В некоторых случаях R
к∼
= R
к0
(точно или приближенно). В других случа-
ях R
к∼
< R
к0
(резистивный каскад) или R
к∼
> R
к0
(трансформаторный кас-
кад).
Учитывая изменения тока базы, вызываемые напряжением сигнала и
находя точки пересечения выходной динамической характеристики каска-
да для переменного тока со статическими характеристиками транзистора
при различных токах базы, можно получить действительные изменения
коллекторного тока, происходящие под действием сигнала при заданных
значениях сопротивления R
к∼
, питающего напряжения Е
к
и изменениях
тока базы i
б
.
Очевидно, что изменяясь, коллекторный ток i
к
при i
б
= I
б0
должен про-
ходить через свое исходное значение I
к0
. Следовательно, выходные дина-
мические характеристики по переменному и постоянному токам должны
пересекаться в исходной рабочей точке А (рис. 4.3).
На рис. 4.3 прямая 2 представляет собой динамическую характеристи-
ку для переменного тока, относящуюся к случаю R
к∼
< R
к0
. Точки ее пере-
сечения со статическими характеристиками транзистора для различных
значений i
б
определяют изменения коллекторного тока в динамическом
режиме.
Следует сказать, что величина угла ϕ
∼
, получаемая на диаграмме, за-
висит от масштабов, принятых в ней для тока (m
i
мА/мм) и для напряже-
ния (m
u
В/мм), и действительная величина этого угла может быть найдена
из выражения

Страницы