Схемотехника аналоговых электронных устройств. Бессчетнова Л.В - 84 стр.

UptoLike

85
где P
~
= P
2
полезная мощность, выделяемая в нагрузке; P
0
мощность,
потребляемая от источника питания. Мощность, рассеиваемая в транзи-
сторе
P
к
= P
0
– P
~
. (4.4)
Из выражения (4.4) ясно, что наибольшая мощность выделяется на
транзисторе, когда P
~
= 0, т.е. при отсутствии сигнала на входе, т.к.
P
0
= E
к
I
к ср
, (4.5)
но в режиме А, как это видно из рис. 4.5, I
к ср
= I
к0
, а I
к0
в режиме А, как
указывалось ранее, имеет значительную величину.
Для повышения КПД каскада применяется
режим В, при котором ис-
ходная рабочая точка выбирается в начале сквозной динамической харак-
теристики, т.е. в точке i
к
= I
кн
, а смещающая ЭДС между базой и эмитте-
ром Е
бэ0
0 (рис. 4.6). При этом, если пренебречь ничтожно малым током
I
кн
, можно считать, что коллекторный ток проходит через транзистор
только в течение одного полупериода, и поэтому угол отсечки в режиме
θ
В
= π/2 (рис. 4.6).
Поэтому неискаженное воспроизведение симметричного сигнала при апе-
риодическом характере нагрузки возможно только при использовании
двухтактной схемы оконечного каскада.
В режиме В коэффициент полезного действия (η) увеличивается, во-
первых, за счет лучшего, по сравнению с режимом А, использования тран-
зистора
по току (I
к maxВ
> I
кmA
), благодаря чему полезная мощность
i
к
i
к
I
кн
0
I
к max
р.т.
2π
π
ω
t
ω
t
Е
бэ
m
e
бэ
0
Рис. 4.6. Режим В
3π
θ
В