Составители:
100
Емкость конденсатора, шунтирующего сопротивление в цепи эмиттера
R
э
(рис. 5.5) определяется в соответствии с [1] как
ээ
6
э
Rfπ2
10
C =
мкФ, (6.16)
где частота среза, обусловленная влиянием С
э
,
1
y
y
γ
y
y
1
ff
2
нс
н
2
2
нс
н
нэ
−
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
−
=
, (6.17)
а y
н
– общая неравномерность частотной характеристики на низких часто-
тах, учитывающая суммарные искажения за счет емкостей С
с
и С
э
. Этой
величиной следует задаваться.
Входящий в выражение (6.17) параметр γ представляет собой глубину
отрицательной обратной связи по току, создаваемой сопротивлением R
э
на
частоте f → 0 и определяется как
(
)
()
1βrr
1βR
1γ
0эб
0э
++
+
+= . (6.18)
6.2. Резистивный каскад ОЭ с неблокированным сопротивлением
в цепи эмиттера
Схема каскада с неблокированным сопротивлением R
э
отличается от
изображенной на рис. 5.5 только отсутствием емкости С
э
. Выбор исходно-
го режима и его стабилизация ничем не отличается от рассмотренных вы-
ше, т.к. отсутствие емкости С
э
для постоянного тока ничего не меняет.
Особые свойства каскада с неблокированным сопротивлением R
э
прояв-
ляются в режиме переменного тока, когда это сопротивление, не шунти-
руемое емкостью, образует внешнюю частотно-независимую отрицатель-
ную обратную связь по току последовательного типа. В результате дейст-
вия указанной обратной связи возрастает входное сопротивление каскада,
что позволяет получить от предшествующего каскада большее усиление
по напряжению или повысить использование ЭДС
источника сигналов.
Кроме того, стабилизируются основные технические показатели каскада,
т.к. уменьшается влияние разброса параметров транзистора. В то же время
резко уменьшается усиление по напряжению рассматриваемого каскада и
возрастает его выходное сопротивление. Последнее, правда, не имеет су-
щественного значения, поскольку при R
вых
>> R
к
параллельное соединение
к
квых
квых
R
RR
RR
≈
+
.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 97
- 98
- 99
- 100
- 101
- …
- следующая ›
- последняя »
