Составители:
99
вхслвх
2
~2
2
00I0UP
RR
R
KKK β==
. (6.12)
Первичные параметры транзистора r
э
, r
б
и r
к
, необходимые для опреде-
ления K
E0
, K
U0
и K
I0
, находятся из выражений (3.7)…(3.14).
Коэффициент гармоник при малом уровне сигналов ввиду незначи-
тельной величины нелинейных искажений обычно не рассчитывается.
Влияние емкостей С
с
и С
э
В рассматриваемом каскаде (рис. 5.5) частотные искажения в области
низших частот вызываются переходной емкостью С
с
и емкостью С
э
, шун-
тирующей по переменному току сопротивление R
э
. Воспользовавшись
схемой замещения рис. 1.6б и имея в виду, что R
к
– внешнее сопротивле-
ние цепи коллектора, а R
н
= R′
вхсл
– эквивалентное входное сопротивление
следующего каскада, получим в соответствии с [1] выражение для относи-
тельного усиления
2
c
c
f
f
1
1
y
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
′
+
=
, (6.13)
где f
′
c
– частота среза за счет влияния емкости С
с
(см. параграф 1.4),
()
вхслкc
c
RRCπ2
1
f
′
+
=
′
. (6.14)
Здесь
1
вхслbсласл
вхсл
R
1
R
1
R
1
R
−
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
++=
′
,
где R
вхсл
= r
бсл
+ r
эсл
(β
0сл
+1).
Из выражения (6.13) видно, что наличие переходной емкости С
с
при-
водит к спаду амплитудно-частотной характеристики.
Физически это объясняется снижением величины выходного тока и его
опережением по фазе, происходящим по мере уменьшения частоты.
При f → 0, φ
c
→ π/2 (см. рис.1.8).
Задавшись допустимым значением коэффициента частотных искаже-
ний
нс
нс
y
1
М =
на самой низшей частоте диапазона, из (6.13) и (6.14)
можно определить минимальную необходимую величину переходной ем-
кости
()
1
y
1
RRfπ2
10
C
2
нс
вхслкн
6
c
−
′
+
=
мкФ. (6.15)
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 96
- 97
- 98
- 99
- 100
- …
- следующая ›
- последняя »
