Рабочие программы по дисциплинам кафедры физической и коллоидной химии. Безносюк С.А - 84 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

АлтГУ | Барнаул

Составители: 

Рубрика: 

84
Электропроводность полупроводника в сильном электрическом по-
ле. Отклонение от закона Ома и его причины: разогрев электронного газа,
ударная ионизация, туннельный эффект.
4. Теплопроводность полупроводников – 3 ч
Перенос тепловой энергии в полупроводниках. Темро-э.д.с. Эффек-
ты Пельтье, Зеебека, Томсона.
5. Дефекты кристаллов – 4 ч
Дефекты кристаллической решетки. Точечные, линейные, плоско-
стные, объемные. Влияние дефектов на свойства полупроводников.
Равновесная концентрация дефектов по Шоттки. Теоретический
предел очистки. Сложные дефекты, взаимодействие дефектов и его при-
чины. Собственное равновесие в кристалле. Гомогенное равновесие. Два
случая равновесия: преобладание собственного (электронного) или
Френкелевского беспорядка, Поведение дефектов при различных давле-
ниях компонента. Термодинамический р-n-переход.
6. Методы очистки – 3 ч
Классификация методов очистки: физико-химические и специаль-
ные. Метод кристаллизации расплава. Критерии распределения примеси.
Метод геометрической термодинамики для нахождения коэффициента
распределения. Закон распределения примеси в растущем кристалле.
Зонная плавка. Вывод уравнения распределения примеси для равно-
весного процесса. Предельная очистка. Распределение примеси в равно-
весных и неравновесных условиях. Эффективный коэффициент распре-
деления, приведенная скорость роста.
7. Методы синтеза полупроводников – 2 ч
Классификация методов синтеза. Синтез с одним летучим компо-
нентом. Термодинамические условия получения стехиометрических со-
единений. Двух- и трехтемпературный способы синтеза арсенида галлия.
Химические методы синтеза. Реакции в газовой, жидкой и твердой фазе.
8. Выращивание монокристаллов – 8 ч
Термодинамическая теория роста кристаллов. Понятие «зародыша»,
зависимость его размеров от ряда факторов. Эффективное пересыщение,
переохлаждение.
Выращивание кристаллов из расплавов. Методы: Чохральского,
Бриджмена, Вернейля, зонной перекристаллизации, бестигельные методы.
Выращивание из растворов. Требования к растворителю. Методы испаре-
ния и насыщения летучего компонента. Условия получения совершенных
кристаллов. Выращивание из газовой фазы. Прямой синтез из паров. Усло-
вия получения совершенных кристаллов. Трехтемпературная печь для син-
     Электропроводность полупроводника в сильном электрическом по-
ле. Отклонение от закона Ома и его причины: разогрев электронного газа,
ударная ионизация, туннельный эффект.
    4. Теплопроводность полупроводников – 3 ч
    Перенос тепловой энергии в полупроводниках. Темро-э.д.с. Эффек-
ты Пельтье, Зеебека, Томсона.
     5. Дефекты кристаллов – 4 ч
     Дефекты кристаллической решетки. Точечные, линейные, плоско-
стные, объемные. Влияние дефектов на свойства полупроводников.
     Равновесная концентрация дефектов по Шоттки. Теоретический
предел очистки. Сложные дефекты, взаимодействие дефектов и его при-
чины. Собственное равновесие в кристалле. Гомогенное равновесие. Два
случая равновесия: преобладание собственного (электронного) или
Френкелевского беспорядка, Поведение дефектов при различных давле-
ниях компонента. Термодинамический р-n-переход.
     6. Методы очистки – 3 ч
     Классификация методов очистки: физико-химические и специаль-
ные. Метод кристаллизации расплава. Критерии распределения примеси.
Метод геометрической термодинамики для нахождения коэффициента
распределения. Закон распределения примеси в растущем кристалле.
     Зонная плавка. Вывод уравнения распределения примеси для равно-
весного процесса. Предельная очистка. Распределение примеси в равно-
весных и неравновесных условиях. Эффективный коэффициент распре-
деления, приведенная скорость роста.
     7. Методы синтеза полупроводников – 2 ч
     Классификация методов синтеза. Синтез с одним летучим компо-
нентом. Термодинамические условия получения стехиометрических со-
единений. Двух- и трехтемпературный способы синтеза арсенида галлия.
Химические методы синтеза. Реакции в газовой, жидкой и твердой фазе.
     8. Выращивание монокристаллов – 8 ч
     Термодинамическая теория роста кристаллов. Понятие «зародыша»,
зависимость его размеров от ряда факторов. Эффективное пересыщение,
переохлаждение.
     Выращивание кристаллов из расплавов. Методы: Чохральского,
Бриджмена, Вернейля, зонной перекристаллизации, бестигельные методы.
Выращивание из растворов. Требования к растворителю. Методы испаре-
ния и насыщения летучего компонента. Условия получения совершенных
кристаллов. Выращивание из газовой фазы. Прямой синтез из паров. Усло-
вия получения совершенных кристаллов. Трехтемпературная печь для син-

84

Страницы