Рабочие программы по дисциплинам кафедры физической и коллоидной химии. Безносюк С.А - 85 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

АлтГУ | Барнаул

Составители: 

Рубрика: 

85
теза сульфида кадмия. Отклонение состава кристалла от стехиометрии.
Одно- и двухсторонние фазы переменного состава. Химические газотранс-
портные реакции. Сущность метода. Термодинамические обоснования на-
правления процесса. Расчет эффективности газового транспорта. Основные
типы химических реакций. Дефекты растущих кристаллов.
ПЕРЕЧЕНЬ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ
1. Определение ширины запрещенной зоны термическим методом.
2. Определение удельного сопротивления 4-х зондовым методом.
3. Измерение электрофизических параметров контактов металл–полу-
проводник на основе вольтамперных характеристик.
4. Измерение параметров диодов по температурным зависимостям ВАХ.
5. Исследование оптических характеристик полупроводников.
ПЕРЕЧЕНЬ ТЕМ СЕМИНАРСКИХ ЗАНЯТИЙ
1. Расчет профиля концентраций в методе направленной кристаллизации.
2. Расчет профиля концентраций в методе зонной плавки.
3. Расчет профиля диффузионного легирования.
4. Расчет профиля легирования и концентрации дефектов при синтезе из
паров.
ЛИТЕРАТУРА
Основная
1. Угай Я.А. Введение в химию полупроводников. –М.: Высш. шк., 1985.
–300 с.
2. Шалимова К.В. Физика полупроводников. – М.: Высш. шк., 1993.
–342 с.
3. Ормонт Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полу-
проводников. –М.: Высш. шк., 1982. –528 с.
Дополнительная
1. Крегер Ф. Симия несовершенных кристаллов. –М.: Мир, 1968. –590 с.
2. Мент А.Н. Состав-дефектность – свойства твердых фаз. –М.: Наука,
1977. –280 с. 
теза сульфида кадмия. Отклонение состава кристалла от стехиометрии.
Одно- и двухсторонние фазы переменного состава. Химические газотранс-
портные реакции. Сущность метода. Термодинамические обоснования на-
правления процесса. Расчет эффективности газового транспорта. Основные
типы химических реакций. Дефекты растущих кристаллов.


              ПЕРЕЧЕНЬ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ
 1. Определение ширины запрещенной зоны термическим методом.
 2. Определение удельного сопротивления 4-х зондовым методом.
 3. Измерение электрофизических параметров контактов металл–полу-
    проводник на основе вольтамперных характеристик.
 4. Измерение параметров диодов по температурным зависимостям ВАХ.
 5. Исследование оптических характеристик полупроводников.


           ПЕРЕЧЕНЬ ТЕМ СЕМИНАРСКИХ ЗАНЯТИЙ
 1. Расчет профиля концентраций в методе направленной кристаллизации.
 2. Расчет профиля концентраций в методе зонной плавки.
 3. Расчет профиля диффузионного легирования.
 4. Расчет профиля легирования и концентрации дефектов при синтезе из
    паров.



                           ЛИТЕРАТУРА
   Основная
 1. Угай Я.А. Введение в химию полупроводников. –М.: Высш. шк., 1985.
    –300 с.
 2. Шалимова К.В. Физика полупроводников. – М.: Высш. шк., 1993.
    –342 с.
 3. Ормонт Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полу-
    проводников. –М.: Высш. шк., 1982. –528 с.


   Дополнительная
 1. Крегер Ф. Симия несовершенных кристаллов. –М.: Мир, 1968. –590 с.
 2. Мент А.Н. Состав-дефектность – свойства твердых фаз. –М.: Наука,
    1977. –280 с.

                                                                   85

Страницы