Рабочие программы по дисциплинам кафедры физической и коллоидной химии. Безносюк С.А - 89 стр.

     Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике.
Эффективная плотность квантовых состояний в зоне проводимости и в
валентной зоне. Эффективная относительная масса электрона и дырки.
Выражение для уровня Ферми и концентрации носителей заряда в собст-
венном полупроводнике.
     Концентрация носителей заряда в донорном и акцепторном полу-
проводнике. Энергия ионизации донорных и акцепторных атомов. Полу-
проводники п- и р-типа. Основные и неосновные носители заряда. Зави-
симость их концентрации и уровня Ферми от концентрации ионизиро-
ванных доноров и акцепторов. Компенсированный полупроводник.
     Вырождение полупроводников. Условия полного вырождения до-
норного и акцепторного полупроводника. Начало перехода невырожден-
ного полупроводника п-типа к вырожденному.
     Электропроводность полупроводников. Плотность дрейфового и
диффузионного тока. Скорость дрейфа, дрейфовая подвижность и время
свободного пробега электронов и дырок. Их коэффициент диффузии.
Диффузионная длина неравновесных носителей заряда. Зависимость
удельной проводимости полупроводника от температуры.
     Фоточувствительность полупроводников. Спектральная зависи-
мость фоточувствительности. Виды генерация носителей заряда при ос-
вещении полупроводника. Красная граница прямой межзонной генерации
пар электрон–дырка. Квантовый выход.
     Биполярная генерация. Неравновесные концентрации носителей за-
ряда в невырожденном полупроводнике, генерированные светом. Квазиу-
ровни Ферми для электронов и дырок в неравновесных условиях. Влияние
их различия на степень отклонения полупроводника от равновесия.
     Межзонная излучательная рекомбинация. Изменение скорости из-
лучательной рекомбинации неравновесных пар электрон–дырка в случае
малого и большого уровня светового возбуждения. Время жизни нерав-
новесных носителей заряда для собственного полупроводника и полу-
проводников n- и p-типа.
     Фотопроводимость полупроводников. Уравнение генерации избы-
точных электронов и дырок светом в полупроводнике. Линейный коэф-
фициент поглощения. Потери излучения.
     Однородное поглощение света полупроводником. Кинетика изме-
нения концентрации неосновных носителей зарядов. Время жизни и ста-
ционарная концентрация неравновесных носителей заряда. Фотопрово-
димость полупроводника при однородном, стационарном освещении.
     Неоднородное поглощение света полупроводником. Зависимость
генерации пар электронов и дырок от глубины проникновения света в
полупроводник. Влияние на фототок взаимосвязи глубины проникнове-

                                                                 89