Рабочие программы по дисциплинам кафедры физической и коллоидной химии. Безносюк С.А - 90 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

АлтГУ | Барнаул

Составители: 

Рубрика: 

90
ния излучения в полупроводник с толщиной его области пространствен-
ного заряда и диффузионной длиной неосновных носителей заряда. Ус-
ловие максимального фототока. Уравнения для плотности дрейфового и
диффузионного тока. Основное уравнение для фототока при неоднород-
ном поглощении света полупроводником п-типа.
Рекомбинация носителей заряда через ловушки. Схема рекомби-
нации электронов и дырок через ловушки. Уравнения скорости и вероят-
ности захвата электронов ловушками и обратной их эмиссии с ловушек в
зону проводимости. Уравнения скорости изменения концентрации нерав-
новесных электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне в
результате процессов их захвата ловушками и эмиссии из ловушек. Об-
щее уравнение рекомбинации носителей заряда через ловушки. Время
жизни равновесных неосновых носителей заряда полупроводника, участ-
вующих в процессах рекомбинации – эмиссии через ловушки.
Вольтамперные характеристики контактов металл–
полупроводник. Структура контакта металл–полупроводник. Энергети-
ческая схема контакта металл–полупроводник п-типа с тонким промежу-
точным слоем. Работа выхода электрона из металла и полупроводника.
Высота барьера контакта металл–полупроводник. Барьер Шоттки. Виды
переноса носителей заряда.
Физическая теория выпрямления на контакте металл–
полупроводник. Уравнение полного тока через контакт МП n-типа, обу-
словленный термоэлектронной эмиссией. Ток насыщения. Выражение
для высоты барьера. Отклонения реальных ВАХ от теоретических. Барь-
ер Бардина.
Раздел II. ОСНОВЫ ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОХИМИИ
2.1. Система полупроводник–электролит в равновесии
Разновидности потенциалов. Электростатические потенциалы, их
взаимосвязь. Электрохимический и химический потенциал. Работа выхо-
да электрона. Энергетические зоны полупроводника. Уровень Ферми.
Разные точки отсчета уровней энергии.
Строение границы раздела полупроводник–электролит. Распреде-
ление заряда и потенциала. Причины возникновения области пространст-
венного заряда (ОПЗ) в полупроводнике. Зависимость толщины ОПЗ от
концентрации носителей зарядов в полупроводнике и слоя Гуи от концен-
трации ионов в растворе. Относительные значения падения потенциала в
различных областях на границе раздела полупроводник – электролит.
Методы исследования строения границы раздела полупровод-
ник–электролит. Дифференциальная емкость этой границы, ее взаимо-
ния излучения в полупроводник с толщиной его области пространствен-
ного заряда и диффузионной длиной неосновных носителей заряда. Ус-
ловие максимального фототока. Уравнения для плотности дрейфового и
диффузионного тока. Основное уравнение для фототока при неоднород-
ном поглощении света полупроводником п-типа.
     Рекомбинация носителей заряда через ловушки. Схема рекомби-
нации электронов и дырок через ловушки. Уравнения скорости и вероят-
ности захвата электронов ловушками и обратной их эмиссии с ловушек в
зону проводимости. Уравнения скорости изменения концентрации нерав-
новесных электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне в
результате процессов их захвата ловушками и эмиссии из ловушек. Об-
щее уравнение рекомбинации носителей заряда через ловушки. Время
жизни равновесных неосновых носителей заряда полупроводника, участ-
вующих в процессах рекомбинации – эмиссии через ловушки.
     Вольтамперные       характеристики      контактов      металл–
полупроводник. Структура контакта металл–полупроводник. Энергети-
ческая схема контакта металл–полупроводник п-типа с тонким промежу-
точным слоем. Работа выхода электрона из металла и полупроводника.
Высота барьера контакта металл–полупроводник. Барьер Шоттки. Виды
переноса носителей заряда.
     Физическая     теория   выпрямления    на    контакте   металл–
полупроводник. Уравнение полного тока через контакт МП n-типа, обу-
словленный термоэлектронной эмиссией. Ток насыщения. Выражение
для высоты барьера. Отклонения реальных ВАХ от теоретических. Барь-
ер Бардина.

     Раздел II. ОСНОВЫ ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОХИМИИ
     2.1. Система полупроводник–электролит в равновесии
     Разновидности потенциалов. Электростатические потенциалы, их
взаимосвязь. Электрохимический и химический потенциал. Работа выхо-
да электрона. Энергетические зоны полупроводника. Уровень Ферми.
Разные точки отсчета уровней энергии.
     Строение границы раздела полупроводник–электролит. Распреде-
ление заряда и потенциала. Причины возникновения области пространст-
венного заряда (ОПЗ) в полупроводнике. Зависимость толщины ОПЗ от
концентрации носителей зарядов в полупроводнике и слоя Гуи от концен-
трации ионов в растворе. Относительные значения падения потенциала в
различных областях на границе раздела полупроводник – электролит.
     Методы исследования строения границы раздела полупровод-
ник–электролит. Дифференциальная емкость этой границы, ее взаимо-

90

Страницы