Составители:
Рубрика:
туды импульсного воздействия (V = 0.1; 2; 6 В). Исследовать, ка-
ким видам колебаний (базовым циклам) соответствуют различ-
ные участки резонансных кривых.
3. Зарисовать 4–5 примеров базовых циклов (временные
реализации, фазовые портреты, спектры) при импульсном
периодическом воздействии.
4. Исследовать структуру бифуркационных множеств кон-
тура, возбуждаемого импульсной периодической силой, и по-
строить карту режимов в указанной преподавателем области про-
странства параметров. Выделить на карте «маршруты движения»
при которых наблюдаются типичные сценарии перехода к хаосу.
Рекомендуем воспользоваться априорной информацией о качест-
венных особенностях бифуркационных множеств различных ма-
тематических моделей контура (см. приложение) и аналогичными
данными, полученными при гармоническом воздействии, см.
рис. 6.
5. Используя стробоскопическое сечение (сечение Пуанка-
ре), исследуйте структуру хаотического аттрактора, сформиро-
ванного базе резонансного цикла, указанного преподавателем.
8. Приложение 1
Полупроводниковые элементы с емкостными
свойствами и физические механизмы стохастизации
колебаний в контуре с диодом
Хаотические колебания в периодически возбуждаемом
контуре были обнаружены при включении в контур варакторного
диода [1], но этот класс приборов не исчерпывает номенклатуры
полупроводниковых элементов, свойства которых позволяют на-
блюдать сильно нелинейные колебательные состояния в этой
системе. Далее мы будем называть диодом полупроводниковый
элемент с двумя выводами и р-n переходом, рис. П.1.1а, в кото-
ром отсутствуют эффекты лавинного пробоя и туннелирования.
Это могут быть варакторные, импульсные, выпрямительные дио-
ды, участки эмиттер-база или коллектор-база биполярных тран-
24
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 22
- 23
- 24
- 25
- 26
- …
- следующая ›
- последняя »
