Нелинейный электрический маятник. Безручко Б.П - 25 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СГУ им. Чернышевского | Саратов

Составители: 

Рубрика: 

зисторов, полевые транзисторы с р-n переходами, фотодиоды.
Строгое описание физики процессов в диоде требует его рас-
смотрения как распределенной системы (использования уравне-
ний в частных производных) или сложных эквивалентных пред-
ставлений, что составляет содержание толстых монографий. Мы
же ограничимся коротким качественным описанием [6].
Рис. П.1.1. Структура диода с
p
-
n
переходом (а); распределение
примесей вдоль диода с плавным переходом (б); качественный вид распре-
деления примеси в базе варакторного диода (в); качественный вид ВАХ и
ВФХ диода (
C
-дифференциальная емкость) (г).
Свойства диодов определяются видом распределения кон-
центрации примесей вдоль диода (между контактами): количест-
вом и распределением акцепторов и доноров, внесенных в полу-
проводник с собственной проводимостью при создании двух кон-
тактирующих областей с p и n проводимостями. В типичном слу-
чае концентрация примеси в одной из половин диода на порядки
больше чем в другой (например, в диоде с n
+
-p структурой имеет-
ся избыток электронов по сравнению с концентрацией дырок в p
области, рис. П.1.1б). Область с большей концентрацией носите-
лей называют эмиттером, а с меньшей — базой; база имеет отно-
сительно большое сопротивление. Для улучшения эксплуатаци-
онных качеств диодов различных типов, в них обеспечиваются те
или иные особенности структуры. Например, в варакторных дио-
25

Страницы