Проектирование цифровых устройств на базе ПЛИС фирмы XILINX в среде WebPACK ISE. Бобрешов А.М - 47 стр.

UptoLike

Составители: 

47
OR12,16 логическое сложение (соответственно 12 и 16 входов). Все
входы являются неинвертированными.
XNOR2-9 исключающее ИЛИ с инвертированным выходом и от 2 до
9 входами. Не имеет вариантов с инвертированными входами.
XOR2-9 исключающее ИЛИ . Имеет от 2 до 9 входов, все входы
неинвертированные.
Элементы памяти
Архитектура Spartan-II предусматривает возможность организации
функциональных генераторов (LUT) в виде однопортового или
двухпортового запоминающего устройства. Кроме того, на периферии
кристалла расположена статическая двухпортовая синхронная так называемая
блочная память. Для каждого порта независимо задается ширина шины
данных (1, 2, 4, 8 или 16 бит).
Элементы памяти , построенные на базе функциональных генераторов,
обозначаются следующим образом :
RAM 16X1 D_1 - символ аббревиатуры
1 2 3 4 - поля
поля Описание
1 RAM оперативная память, ROM ПЗУ
2 Организация памяти . 16X1 16 слов по 1 биту
3 S однопортовая, D двухпортовая
4 _1 инвертированный тактовый сигнал
Компоненты , использующие блочную память (блоки объемом 4096
бит), обозначаются следующим образом :
RAMB4_Sn однопортовая синхронная память, построенная на основе
блочного ЗУ. n может принимать значения 1, 2, 4, 8 или 16 и обозначает
соостветственно ширину шины данных.
RAMB4_Sm_Sn двухпортовая синхронная память, построенная на
основе блочного ЗУ. m и n могут принимать значения из ряда 1, 2, 4, 8, 16.
Мультиплексоры
В библиотеке компонентов существуют как мультиплексоры общего
назначения, так и мультиплексоры специального назначения, например ,
используемые логикой ускоренного переноса. Для целей обучения
достаточно использования только мультиплексоров общего назначения,
которые обозначаются следующим образом :
M 2_1 B1 E - символ аббревиатуры
1 2 3 4 - поля
                                           47

       OR12,16 – логи ческое слож ени е (соответственно 12 и 16 вх одов). В се
вх оды являю тсянеи нвер ти р ованны м и .
       XNOR2-9 – иск лючающее И Л И си нвер ти р ованны м вы х одом и от 2 до
9 вх одам и . Н еи м еет вар и антов си нвер ти р ованны м и вх одам и .
       XOR2-9 – и склю чаю щ ее И ЛИ . И м еет от 2 до 9 вх одов, все вх оды
неи нвер ти р ованны е.


       Э л ем ен ты па м яти
       А р х и тектур а Spartan-II пр едусм атр и вает возм ож ность ор гани заци и
ф ункци ональны х        генер атор ов (LUT) в ви де однопор тового и ли
двух пор тового запом и наю щ его устр ой ства. К р ом е того, на пер и ф ер и и
кр и сталлар асполож енастати ческаядвух пор товаяси нх р оннаятак назы ваем ая
б лочная пам ять. Д ля каж дого пор та незави си м о задается ш и р и на ш и ны
данны х (1, 2, 4, 8 и ли 16 б и т).
       Э лем енты пам яти , постр оенны е на б азе ф ункци ональны х генер атор ов,
об означаю тсяследую щ и м об р азом :
       RAM 16X1 D_1 - си м волаб б р еви атур ы
        1 2 3 4 - № поля
№ поля             О пи сани е
       1           RAM – опер ати внаяпам ять, ROM – ПЗУ
       2           О р гани заци япам яти . 16X1 – 16 слов по 1 б и ту
       3           S – однопор товая, D – двух пор товая
       4           _1 – и нвер ти р ованны й тактовы й си гнал

        К ом поненты , и спользую щ и е б лочную пам ять (б локи об ъем ом 4096
б и т), об означаю тсяследую щ и м об р азом :
        RAMB4_Sn – однопор товая си нх р онная пам ять, постр оенная на основе
б лочного ЗУ . n м ож ет пр и ни м ать значени я 1, 2, 4, 8 и ли 16 и об означает
соостветственно ш и р и ну ш и ны данны х .
        RAMB4_Sm_Sn – двух пор товая си нх р онная пам ять, постр оенная на
основеб лочного ЗУ . m и n м огут пр и ни м ать значени яи з р яда1, 2, 4, 8, 16.

      М ул ьти пл ексо р ы
      В б и б ли отеке ком понентов сущ ествую т как м ульти плексор ы об щ его
назначени я, так и м ульти плексор ы специ ального назначени я, напр и м ер ,
и спользуем ы е логи кой ускор енного пер еноса. Д ля целей об учени я
достаточно и спользовани я только м ульти плексор ов об щ его назначени я,
котор ы еоб означаю тсяследую щ и м об р азом :
      M 2_1 B1 E - си м волаб б р еви атур ы
      1 2 3 4       - № поля