Составители:
Рубрика:
136 137
ную прямую на графике семейства статических выходных ВАХ. Тогда
выходная динамическая характеристика будет являться геометрическим
местом пересечения нагрузочной прямой со статическими выходными
ВАХ. При этом точку пересечения нагрузочной прямой со статической
ВАХ при заданном токе базы называют рабочей точкой, а ее начальное
положение на нагрузочной прямой (при отсутствии входного перемен-
ного сигнала) – точкой
покоя 0.
Точка покоя определяет ток покоя выходной цепи
0к
I
и напряже-
ние покоя
0к.э
U
, при этом уравнение динамического режима будет иметь
вид
.
0ккп0к.э
IREU
Мерой частотных искажений, которые вносит каскад в области ниж-
них частот, служит коэффициент частотных искажений
н
М
, равный от-
ношению модулей коэффициентов усиления на средней рабочей частоте
и нижней граничной частоте:
.
||
||
н
0
н
K
K
М
В идеальных условиях, когда каскад усиления не вносит частотных
искажений, 1
М
, в реальных – коэффициент частотных искажений М
может быть больше или меньше единицы.
Часть 2
Выводы и комментарии по коэффициенту нестабильности
1. Как известно, транзисторы, имеющие два р-n перехода, могут
быть представлены схемами (рис. 8.4, а и б), содержащими по два диода
каждая совместно с сопротивлениями эмиттера
э
R
и базы
б
R
.
На рис. 8.4, а дана схема замещения для полупроводникового трио-
да типа n-p-n, а на рис. 8.4, б – p-n-p.
При токе коллекторного p-n перехода, равном
0сэ
II D
, и пита-
нии цепи от источника постоянного напряжения получим, например, для
случая рис. 8.4, а цепь, представленную на рис. 8.5. Между узлами б и э
есть падение напряжения
б.э
U
. Закон Кирхгофа для выбранного напря-
жения обхода контура приведет к формулам
.)1(
б0бэ0б.эээ
ERIRIURI
сс
D
(1)
Рис. 8.4
Рис. 8.5
В уравнение (1) входит обратный (теневой) ток коллекторного пе-
рехода
0c
I
, который и играет одну из ключевых ролей в оценке коэффи-
циента нестабильности S. Ток базы, проходящий по ветви слева направо
)(
0ээб с
IIII D
– создает третье слагаемое выражения (1). Ясно, чтоо
из (1)
])1([)(
бээб0б.э
RRIRIEU
с
D
. Таким образом, нагрузоч-
ная характеристика для цепи база–эмиттер является линейной по типу
эмиттера (рис. 8.6, а) с наклоном:
.
)1(
1
tg
бэб0
э
RRRIE
I
с
D
D
На рис. 8.6, б показана реальная ВАХ диода D
1
, которая заменена
кусочно-линейным приближением с источником смещения
'
0
U
и сопро-
тивлением (наклон)
э
r
, что отвечает схеме, представленной на рис. 8.6, в.
При дальнейшей идеализации
э
r
вводят просто одну величину (для Ge
триодов это 0,15–0,2 мВ, для Si – 0,4–0,6). Так что исходная p-n-p модель
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 68
- 69
- 70
- 71
- 72
- …
- следующая ›
- последняя »
