Электротехника. Расчетно-графические работы с фрагментами инженерного анализа. Богачева И.С - 71 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СПбГАСУ | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

138 139
транзистора по рис. 8.4, б приведет к схеме, показанной на рис. 8.7. Здесь
коллекторный ток, состоящий из суммы
0с
I
и
э
ID
, ориентирован соглас-
но принятому на рис. 8.5.
Рис. 8.6
Рис. 8.7
Из уравнения (1) несложно установить, что ток эмиттера составляет:
.
)1()1(
бэ
б0
бэ
0
э
RR
RI
RR
UE
I
с
D
D
Ток коллектора определяется соотношением
0э сс
III D
, т. е.
.
)1(
)(
)1(
)(
бэ
0бэ
бэ
0
RR
IRR
RR
UE
I
с
c
D
D
D
(2)
2. Для принципиальной схемы усилителя, показанной на рис. 8.1,
по теореме об эквивалентном источнике напряжения (теорема Тевени-
на), получим:
21
2п
RR
RE
E
и
.||
21
21
21б
RR
RR
RRR
Эксперименты показывают:
а) характеристики каскада с общим эмиттером (ОЭ) при различных
значениях тока базы сильно зависят от коэффициента усиления транзис-
тора
E
и температуры
C
$
T
, т. е.
соnstк.э1
б
|)(
|
Iс
UfI
– выходная ха-а-
рактеристика требует поддержания неизменным
б
I
;
б) транзисторный каскад нельзя проектировать с основой на посто-
янном базовом токе, так как изменение положения рабочей точки А
(см. рис. 8.6, а) сильно влияет через разброс значений коэффициента
E
на ток коллектора. В силу этого обстоятельства стараются поддерживать
постоянный ток эмиттера, так что

сonstэ
|
э.б2
|
Iс
UfI
и положение ра-
бочей точки изменится незначительно при изменении тока эмиттера, по-
скольку
1E
E
D
. Так, например, изменение
E
в K раз приведет к изме-
нению
1
1
11 E
|
E
E
E
E
D'
KK
K
, что при
1!!E
даст доли процента;а;
в) из сказанного следует, что проектирование должно ориентиро-
ваться на стабильность положения рабочей точки при изменении
C
$
T
и/или замене одного транзистора другим с возможным разбросом пара-
метров, т. е. величиной
E
,
э
R
и
б
R
, причем разброс бывает значитель-
ным даже в одной партии транзисторов одной марки.
Рассмотрим реальное смещение рабочей точки согласно рис. 8.8
для трех значений температуры
0
T
,
1
T
и
2
Т
и обратных токов коллектор-ор-
ного перехода
0
0с
I
,
1
0с
I
и
2
0с
I
соответственно.
Если рассмотреть идеализированные модели диодов для положи-
тельных
C
$
T
согласно 8.6, б и положить, что
D
меняется незначитель-
но согласно пункту б, то получим рис. 8.9.
На рис. 8.9 показано, что изменение напряжения
0
U'
вызовет из-
менение тока
э
I
на
0
эU
I
, а изменение тока коллектора
0
к
I
– изменение
тока
э
I
на
0
эс
I
.

Страницы