Теория электрических цепей и электроника. Богданова Л.В - 36 стр.

UptoLike

Рубрика: 

Рис. 5
4. Уточнение параметров математической модели транзистора по
результатам его экспериментального исследования
Проконтролируйте
визуально наличие расхождения в результатах
моделирования и эксперимента. При необходимости скорректируйте
исходные SPICE-параметры математической модели. Для этого:
наведите указатель мыши на изображение исследуемого транзистора
на схеме испытаний и дважды
щелкните левой клавишей;
проведите изменения исходных SPICE-параметров в окнеЗначение
параметрапутем их последовательного перебора;
проведите повторное моделирование после каждого изменения
параметра;
обращайте внимание на степень влияния каждого из варьируемых
параметров на приближение результатов моделирования к результатам
эксперимента.
Начальная корректировка параметров проводится с целью
максимального совпадения входных характеристик транзистора. После
совпадения входных ВАХ, с помощью резистора во входной цепи, а также
входного источника, устанавливается рабочая точка транзистора,
соответствующая экспериментальной. Затем, проводится корректировка
параметров для наилучшего совпадения выходных характеристик
транзистора. Если все параметры скорректированы верно, то совпадение
модели и эксперимента будет наблюдаться на всём семействе выходных
ВАХ.
Богданова Л.В., Емельянов А.В., Хоперскова Л.В.
Теория электрических цепей и электроника
36
К О П И Я
Богданова Л.В., Емельянов А.В., Хоперскова Л.В.            Теория электрических цепей и электроника




                                                  Я
                           ПИ
                                                  Рис. 5

         4. Уточнение параметров математической модели транзистора по
   результатам его экспериментального исследования
         Проконтролируйте визуально наличие расхождения в результатах
   моделирования и эксперимента. При необходимости скорректируйте
   исходные SPICE-параметры математической модели. Для этого:
      • наведите указатель мыши на изображение исследуемого транзистора
         на схеме испытаний и дважды щелкните левой клавишей;
      • проведите изменения исходных SPICE-параметров в окне “Значение
КО

         параметра” путем их последовательного перебора;
      • проведите повторное моделирование после каждого изменения
         параметра;
      • обращайте внимание на степень влияния каждого из варьируемых
         параметров на приближение результатов моделирования к результатам
         эксперимента.
         Начальная корректировка параметров проводится с целью
   максимального совпадения входных характеристик транзистора. После
   совпадения входных ВАХ, с помощью резистора во входной цепи, а также
   входного источника, устанавливается рабочая точка транзистора,
   соответствующая экспериментальной. Затем, проводится корректировка
   параметров для наилучшего совпадения выходных характеристик
   транзистора. Если все параметры скорректированы верно, то совпадение
   модели и эксперимента будет наблюдаться на всём семействе выходных
   ВАХ.

                                                                                                36