Теория электрических цепей и электроника. Богданова Л.В - 38 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВолгГТУ | Волгоград

Составители: 

Рубрика: 

Лабораторная работа №3
Тема: “Исследование вольтамперных характеристик биполярных
транзисторов включенных по схеме с общей базой”
Цель работы: моделирование вольтамперных характеристик
транзисторов, измерение их экспериментальных характеристик, сравнение
математической модели и эксперимента.
Порядок выполнения работы
1.
После запуска программы PILab, выберите пункт “Диоды и
транзисторы”, а затем “NPN-транзистор с ОБ” (рис. 1).
Рис. 1
Во вновь открывшемся окне будут представлены технические
характеристиками исследуемого транзистора и этапы выполнения работы.
Запишите выведенную информацию и закройте окно. На экране должны
отображаться три окна, в одном из которых нарисована схема (срисуйте ее)
для исследования транзистора (рис. 2).
Богданова Л.В., Емельянов А.В., Хоперскова Л.В.
Теория электрических цепей и электроника
38
К О П И Я
Богданова Л.В., Емельянов А.В., Хоперскова Л.В.            Теория электрических цепей и электроника


                                 Лабораторная работа №3
        Тема: “Исследование вольтамперных характеристик биполярных
   транзисторов включенных по схеме с общей базой”

        Цель работы: моделирование вольтамперных характеристик
   транзисторов, измерение их экспериментальных характеристик, сравнение
   математической модели и эксперимента.




                                                  Я
                                      Порядок выполнения работы
        1. После запуска программы PILab, выберите пункт “Диоды и
   транзисторы”, а затем “NPN-транзистор с ОБ” (рис. 1).



                           ПИ
                                                  Рис. 1
КО

         Во вновь открывшемся окне будут представлены технические
   характеристиками исследуемого транзистора и этапы выполнения работы.
   Запишите выведенную информацию и закройте окно. На экране должны
   отображаться три окна, в одном из которых нарисована схема (срисуйте ее)
   для исследования транзистора (рис. 2).




                                                                                                38

Страницы