Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 104 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

резонансного уровня с учетом (6.43) будет выражаться через приложен-
ную разность потенциалов формулой (рис.6.11)
2/eUEE
1u
−=
. (6.57)
Если
E E
u F
>
, то, очевидно, резонансный ток равняется нулю (
j
r
=
0
).
С увеличением приложенного напряжения резонансный уровень энер-
гии понижается и при
E E
u F
<
резонансный ток становится отличным
от нуля. При дальнейшем росте напряжения резонансная составляющая
тока
j
r
должна расти, так как при этом уменьшается значение
E
u
и
увеличивается число электронов в сфере Ферми с волновым числом
k q
z
=
(см. рис. 6.12), которые могут туннелировать через резонансный
уровень. Из этого рисунка при условии
*m2/kE*m2/qE
2
F
2
F
22
u
=<=
следует, что число электронов, с заданным значением q и энергией дви-
жения
E
u
вдоль оси симметрии РТД пропорционально площади сече-
104
k
k
x
k
y
k
F
q
Рис. 6.12. Сфера заполненных вырожденным электронным газом состояний
в зоне Бриллюэна с радиусом k
F
-сфера Ферми.
0
eU
E
F
E
u
z
Рис. 6.11. Схема протекания тока в симметричном РТД.

Страницы