Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 106 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

где
pbpb
Г
~
,Г
~
,Г
~
Г
~
Г
~
+=
-полуширина полного, естественного и релакса-
ционного уширений уровня
E
u
(см. (6.57)). После интегрирования по
поперечному волновому вектору и перехода от интегрирования по q к
интегрированию по Е с учетом (6.59) получаем
( )( )
+
−−
π
=−
π
=
∫
Г
~
EE
rctga
Г
~
EE
Г
~
2
*em
dEEEET
2
*em
j
uFuF
2
b
3
E
0
F
3
F
r
( )
+
+−
−
+
22
u
2
2
uFu
Г
~
E
Г
~
EE
ln
2
1
Г
~
E
rctga
, (6.60)
где
*m2/kE
2
F
2
F
=
- энергия Ферми вырожденного электронного газа в
эмиттере. На рис 6.13 представлена ВАХ резонансной составляющей
тока (сплошная кривая), рассчитанная по формуле (6.60), и вид нерезо-
нансной составляющей (пунктирная кривая).Из рисунка следует, что с
ростом уширения резонансного уровня максимальное значение резо-
нансной составляющей тока увеличивается.
На практике при генерации СВЧ колебаний с помощью элементов,
имеющих отрицательную дифференциальную проводимость (ОДП),
основную роль играет удельная дифференциальная проводимость
g
r
-
дифференциальная проводимость, рассчитанная на единицу площади.
Удельную дифференциальную проводимость ДБКС согласно (6.60)
можно рассчитать по формуле
106
0 1 2 3 4
2
1
10
8
6
4
2
0
j , относит. ед
eU / E
1
Рис. 6.13. ВАХ резонансной составляющей тока РТД,
рассчитанной по формуле (6.60) при E
F
/E
1
=0.05
и различных значениях параметра
α
= Г / E
1
:
1 ~
α
= 0.05, 2 ~
α
=0.2.

Страницы