Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 107 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

dU
Г
~
d
Г
~
d
dj
dU
Г
~
d
Г
~
d
dj
dU
dE
dE
dj
dU
dj
g
p
p
b
b
u
u
rr
rr
r
++==
. (6.61)
В области слабых полей, когда можно пренебречь зависимостью време-
ни релаксации импульса от поля, а также в случае высокой собствен-
ной добротности ДБКС (
b1
Г
~
E
> >
) последними двумя членами в форму-
ле можно пренебречь. Тогда формула для
g
r
принимает достаточно
простой вид
+
−
+
−
π
=
=≅
22
u
FuuF
b
32
2
u
u
Г
~
E
E
д
~
E
rctga
Г
~
1
Г
~
EE
rctga
Г
~
1
Г
~
4
*me
dU
dE
dE
dj
g
r
r
. (6.62)
Учитывая, что максимальное значение ОДП должно иметь место при
E
u
≈
0
, что соответствует значению
1
E2eU
=
(см. вертикальная
пунктирная кривая на рис.6.13), из формулы (6.62) получаем
⋅+
π
≅−
Г
~
E
arctgГ
~
E
Г
~
Г
~
4
*me
g
F
F
2
2
b
32
2
max
r
. (6.63)
В случае сильного легирования (
ГE
F
> >
) и слабого рассеяния (
) величина максимальной удельной отрицательной дифферен-
циальной проводимости симметричной ДБКС с учетом (6.63) равна
3/2
2
3/22
b
2
F
2
2
b
32
2
max
n3
8
en3
Г
Г
8
e
E
Г
~
Г
~
4
*me
g
π
≈
π
=
π
≅−
r
, (6.64)
где
( )
32
2/3
F
3/E*m2n
π=
- концентрация вырожденных электронов в
эмиттере. Для плотности тока в максимуме ОДП при этих условиях из
формулы (6.60) получаем
.Г
~
g
e
E
Г
~
Г
~
4
*em
j
max
F
2
b
3
rr
π
≈
π
≅
(6.65)
Согласно формулам (6.64) и (6.65), при
максимальное значе-
ние ОДП резонансно-туннельного диода с вырожденным электронным
газом не зависит от уширения резонансного уровня, тогда как величина
плотности тока зависит от него линейным образом.
Подставляя в эти формулы значения фундаментальных констант,
перепишем эти формулы в виде, удобном для численных оценок:
107

Страницы