Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 108 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

( )
13/2
2
b
5max
ОмnГ/Г101.3g
−−
⋅⋅≅−
r
, (6.64′)
( )
AnГ/Г102.1j
3/22
b
15
⋅⋅≅
r
. (6.65′)
При
( )
c10мэВ12ГГ
~
,см10n
13
bpbp
318
−−
=τ=τ≈==
из этих фор-
мул получаем
25216mux
смA105.1j,смОм108.7g
−−−
⋅⋅⋅≈⋅⋅⋅≈
rr
.
Следует отметить, что формулы (6.64′) и (6.65′)получены с помощью
формулы Лоренца (6.59) для коэффициента пропускания симметричной
ДБКС. Однако в электрическом поле даже идеально симметричная
структура становится несимметричной, что существенно понижает
плотность резонансного тока и величину ОДП на фактор
( ) ( )
( ) ( )( )
1
ETET
ETET4
2
u2u1
u2u1
≤
+
. (6.66)
Чтобы понизить влияние этого фактора, можно ДБКС заранее делать не-
симметричной, т.е. в зависимости от приложенного напряжения в обла-
сти ОДП увеличивать проницаемость входного барьера (например,
уменьшая его толщину) и уменьшать проницаемость выходного барье-
ра. Это следует из того, что в электрическом поле средняя высота вы-
ходного барьера по отношению к средней высоте входного барьера по-
нижается, а, следовательно, прозрачность его увеличивается (рис. 6.11).
6.3.3. Эквивалентная схема и максимальная частота генерации РТД
На рис.6.14 представлена простейшая эквивалентная схема РТД, где
G g S
−
= −
r
- элемент с ОДП, S - площадь сечения РТД, С - емкость по-
лупроводниковых слоев между эмиттерным и коллекторным слоями, R
s
- омическое сопротивление эмиттера и коллектора (сопротивление по-
терь). Из этой схемы следует, что импеданс РТД для переменного тока
малой амплитуды равен [18]
222222
s
CG
C
i
CG
G
RZ
ω+
ω
−
ω+
−=
−−
−
. (6.67)
Согласно этой формуле РТД является элементом с ОДП только в обла-
сти частот, для которых
( )
Re Z
<
0
, т.е. при условии, при котором
. Из этого условия вытекает формула для рас-
чета максимальной генерируемой частоты
108

Страницы