ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
( )
2
s
s
2
mux
CR
GR1G
−−
−
=ω
. (6.68)
Из формулы (6.68) вытекает, что ОДП может иметь место только при
условии
1RG
s
<
−
. Так как
3/2
n~G
−
(см. (6.64)), а
1
s
n~R
−
, удовлетво-
рить последнему условию можно либо увеличивая легирование эмит-
тера и коллектора, либо уменьшая их толщину. При
1
s
GR
−
−
< <
2
s
2
mux
CR
G
−
≈ω
. (6.69)
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Рассмотренные выше примеры охватывают лишь небольшую часть
размерных квантовых явлений, связанных с интерференцией электрон-
ных волн в сверхтонких полупроводниковых гетероструктурах. Укажем
несколько причин, по которым эти структуры вызывают сейчас повы-
шенный интерес исследователей.
1. Малая инерционность процесса резонансного туннелирования элек-
тронов в ДБКС (см. (55)) и связанные с этим перспективы создания
СВЧ-приборов в терагерцевом диапазоне частот и сверхбыстродей-
ствующих цифровых приборов с временем переключения < 1 пс.
2. Специфика резонансного туннелирования в ДБКС, позволяющая, в
принципе, создавать приборы с резкими изменениями величины тока
и падающими участками ВАХ с большой величиной ОДП.
3. Сравнительная конструктивная простота ДБКС, содержащей мини-
мальное число (~3) сверхтонких эпитаксиальных слоев, позволяющая
уже при современном уровне технологии обеспечить выполнение
условий (высокое совершенство кристаллической структуры и квази-
баллистический пролет электронов), необходимых для сохранения
когерентности электронных волн и эффективного резонансного тун-
нелирования в широком диапазоне температур, включая Т≥300К.
4. Практическая возможность создания различных типов новых полу-
проводниковых приборов - диодов, транзисторов и др., обладающих
уникальными свойствами.
С другой стороны, ДБКС может рассматриваться как элементарная
ячейка обширного класса более сложных многослойных гетероструктур
- квантовых сверхрешеток, электрические, оптические и другие физиче-
ские свойства которых также обусловлены квантованием энергетиче-
ского спектра электронов и их туннелированием между соседними
ячейками [14, 18]. Поэтому ясное понимание закономерностей элек-
109
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 107
- 108
- 109
- 110
- 111
- …
- следующая ›
- последняя »