Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 74 стр.

UptoLike

Составители: 

зоны в КЯ нет, то туннелирование идёт в область “почти” непрерывного
спектра энергий над потенциальными барьерами. Таким образом, каж-
дая область осцилляций на ВАХ соответствует резонансному переносу в
области домена слабого поля и нерезонансному переносу в домене силь-
ного поля. Как показали дальнейшие исследования [21], домены сильно-
го поля могут возникать не только у анода и дрейфовать вдоль поля, вы-
зывая колебания тока по аналогии с эффектом Ганна.
5.4. Баллистическая проводимость квантовых нитей
Влияние размерного квантования на проводимость КН особенно
ярко проявляется при наличие баллистического переноса, т.е. при усло-
вии того, что длина L квантовой нити меньше, чем длина свободного
пробега носителей заряда [1].
Чтобы описать баллистический перенос, рассмотрим протекание
тока через КН между двумя металлическими контактами с вырожден-
ным электронным газом, на которые подано напряжение U. Согласно
рис. 5.4. электрический ток в такой структуре создается за счет балли-
стического перехода электронов с энергией
12
FEF
из левого кон-
такта в правый. Величина тока, создаваемого этими электронами с уче-
том вырождения и (2.20) дисперсии энергии по волновому вектору
вдоль оси КН равна
( )
>
=
0k,i
zi
z
kI2I
, (5.57)
где
( )
1
2
z
2
i2
F*m2kEF
z
zi
*Lm
ke
kI
+
=
74
F
1
F
2
Е
2
Е
3
U
металл
металл
КН
затвор
Е
1
Е
1
z
Рис. 5.4. Энергетическая диаграмма смещенной структуры с КН
при наличие затвора.