Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 72 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

формула (5.54) для плотности вертикального тока принимает простой
вид:
( )
j F
e nz
k T
F
o
= ⋅
⊥
2
1
2
1
1
τ
. (5.55)
В случае сильного рассеяния
( )
1
1s
<τΩ
⊥
, что соответствует условию
τ< <∆
и штарковским расщеплением можно пренебречь, вертикаль-
ный перенос изначально является квантовым и описывается формулой
( )
j F
e nz d
k T
F
o
= ⋅
⊥
4
1
2 2
1
2
3
τ
. (5.56)
Таким образом, при условии штарковской локализации плотность тока
будет пропорциональна F, если выполняется условие слабого рассеяния,
и пропорциональна
F
3
в случае сильного рассеяния. Очевидно, при
очень слабом взаимодействии КЯ, когда
τ< <∆
/
1
, ВАХ в области сла-
бых полей
20
будет описываться формулой (5.56) и область омической
проводимости практически будет отсутствовать [13]. На рис.5.2. пред-
ставлен общий вид ВАХ нелегированной СР а) в случае слабого рассея-
ния с наличием ОДП и б) сильного рассеяния с отсутствием ОДП в об-
ласти классических полей.
Как показал эксперимент, вольт-амперная характеристика, представ-
ленная на рис. 5.2, имеет место в собственных или слаболегированных
СР. Если легирование КЯ приводит к достаточной высокой концентра-
ции носителей, то характер ВАХ существенно изменяется. При этом
20
Предполагается, что в этом случае условие штарковской локализации выполняется
при очень слабых полях.
72
Рис. 5.2. ВАХ нелигированной СР:
а)
1
/
∆<τ
, б)
1
/
∆≥τ
.

Страницы