Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 71 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

тока в окрестности
∈ =
i
0
, рассчитанная с помощью матрицы плотности
вероятности, имеет следующий вид [13]
( )
( )
>∈−
<∈−
⋅
τ∈+
τ
Ω=∈
∈+∆
−
∆
−
∈
⊥
⊥
0,e1
0,ee
1
endj
i
Tk
i
TkTk
2
i
2
i
i
2
iii
0
i1i
0
1i
0
i
, (5.50)
где n - концентрация электронов,
( )
τ
⊥ ⊥
i
k
- поперечное время фазовой
релаксации - величина, близкая к поперечному времени релаксации и
связанная с релаксацией поперечного импульса при туннелировании,
( ) ( )
Ω
i i i
L
L
eFz eF z z z dz
= =
−
∫
ψ ψ
1 10
2
2
*
/
/
(5.51)
- матричный элемент, определяющий вероятность туннельного перехо-
да между соседними КЯ,
( )
∑
⊥
⊥
=
k
o
Ef
n
2
(5.52)
- усреднение по поперечному волновому вектору с равновесной функ-
цией Ферми - Дирака. Согласно (5.50), зависимость парциальной плот-
ности тока от величины расстройки носит резонансный характер. При
резонансном туннелировании парциальная плотность тока имеет макси-
мум. С учётом (5.48) это соответствует значению напряжённости поля
ed/F
1ii
∆=
, при этом плотность полного тока (5.49) будет определятся
в основном резонансным значением парциального тока.
( )
( )
j F j end
i i i i
≈ =
⊥
0
2
Ω
τ
. (5.53)
В области слабых квантовых полей при
1020s1
EEeFd
−< <ω==∈≤∆
, согласно (5.50), для плотности вертикального тока получаем
. (5.54)
В приближении двумерного газа (
Tk
0s1
< <ω≤∆
) и слабого рассеяния
(
1
1s
>τω
⊥
), что соответствует наличию штарковского расщепления,
71

Страницы