Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 69 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

∆< <<τ
eFd
II
(5.46)
для вертикального переноса в СР. Согласно критерию слабого поля,
энергия, которую должен получать носитель заряда на периоде СР в
этом поле, должна быть гораздо меньше неопределенности энергии за
счет рассеяния.
5.3.3. Резонансное туннелирование в области
штарковской локализации
Если условия (5.46) для сильных электрических полей не выполня-
ются, что имеет место при наличии узких минизон или интенсивного
рассеяние, то вертикальный перенос носителей заряда в СР приобретает
квантовый характер. Для его описания необходимо учитывать измене-
ние энергетического спектра и волновых функций электронов под дей-
ствием поля, а также переход от классического статистического описа-
ния с помощью функции распределения к квантовому, в основе которо-
го лежит расчет матрицы плотности вероятности [17]. Ввиду математи-
ческой сложности, связанной с учётом указанных особенностей, анализ
вертикальной квантовой проводимости проведём, используя качествен-
ные квазиклассические соображения.
Продольное протекание тока в квантовом электрическом поле
происходит за счет туннелирования носителей заряда через потенциаль-
ные барьеры СР с последующей передачей избытка энергии либо в виде
излучения фотонов, либо, что наиболее вероятно, колебаниям решётки,
т.е. излучения фононов. При этом в процессе туннелирования может из-
мениться как номер «штарковской лестницы»–минизоны (см. (2.62)),
так и поперечный квазиимпульс. Последнее возможно только при на-
личии рассеяния. В условиях штарковской локализации (
eFd
≤∆
) уров-
ней минизоны в пределах периода СР туннелирование электронов воз-
можно только между соседними КЯ.
69
0
1
2
3
4
5
6
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
Область Омической
проводимости
диф. проводимости
F / F
p
v / v
P
Рис. 5.1. Зависимость дрейфовой скорости от напряжённости
электрического поля при вертикальном переносе.

Страницы