Электрофизические методы исследования МДП-структур. Часть 2. Бормонтов Е.Н. - 32 стр.

                                      32

носителей заря да. DSS имеет размерность [см -2 эВ -1], σ - [см 2]. П роцессы
поверхностной генерации и рекомб инации об ы чно описы ваю тся               с
помощ ью       параметра,         назы ваемого   скоростью поверхностной
рекомб инации, которы й мож ет б ы ть определен следую щ им об разом:
                     S g = 1 σν T πDss kT .                               (20)
                             2
Т огдаскорость поверхностной генерации мож но записать в виде
                            Gs = S g ni .                                 (21)
      Н еоб ходимо отметить, что скорость поверхностной рекомб инации
зависит от плотности поверхностны х состоя ний с энергетическими
уровня ми, б лизкими к середине запрещ енной зоны , где она значительно
ниж е своих типовы х значений у краёв разреш енны х                       зон.
Э кспериментальны е измерения даю т значения скорости поверхностной
рекомб инации поря дка 1 ÷ 100 см/с, что соответствует плотности
поверхностны х состоя ний около 109 ÷ 1011 см -2 эВ -1.
    П лотность тока поверхностной генерации есть произведениезаря да
электронанаскорость генерации:
                         jп ов.ген . = qS n ni .                          (22)

Сравним это вы раж ениес вы раж ением для токаоб ъ емной генерации (17):
                    jп ов.ген .   qS g ni      S gτ g
                                =            =        .              (23)
                     jоб.ген . q(W / τ g )ni    W
Д ля М Д П -структуры с Sg = 1 см/с, τg = 1 мкс и W = 10 мкм ток
поверхностной генерации в 1000 разменьш етокаоб ъ емной генерации.

             В . Д иф ф узионны й потокнеосновны х носителей в О П З

      У края об еднённой об ласти концентрация неосновны х носителей
равна нулю и возрастает экспоненциально по мере удаления от неё до
величины , соответствую щ ей тепловому равновесию . Распределение
концентрации неосновны х носителей в полупроводнике мож но найти,
реш ив стационарноеуравнениедиф ф узии
                                 d 2 ∆n − ∆n = 0
                                  dx 2    L2n                            (24)
с граничны ми условия ми
                            ∆n( x = 0) = − ni2 N A ;
                                ∆n( x → ∞) = 0 ,                         (25)
где Ln = Dnτ n - диф ф узионная длинанеосновны х носителей (в данном
случае электронов); Dn - коэф ф ициент диф ф узии для электронов; τn -
время ж изни неосновны х носителей.