Обеспечение надежности при проектировании РЭС. Бородин С.М. - 100 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

100
Продолжение приложения В
Таблица ПВ.25
Полупроводниковые приборы (тиристоры и симисторы) (VS)
Элемент
,1/ч10
6
0
Элемент
,1/ч10
6
0
Элемент
,1/ч10
6
0
2И229А-Л
0,19
КУ113А, Б
0,39
2У221А-В
0,19
2У101А-И
0,073
2У114А
0,19
КУ221А-В
0,4
КУ101
0,2
КУ114А
0,39
2У222А-Г
0,19
2У102А-Г
0,73
2У116АС
0,19
КУ222А-Г
0,39
КУ103
0,2
2У202Д-Н
0,19
КУ223
0,4
2У104А-Д
0,25
КУ202Д-Н
0,33
КУ224
0,4
2У106А-Г
0,17
2У203А-И
0,19
2У227А, Б
0,19
2У107А-Д
0,16
КУ20ЗА-И
0,4
2У229А-Л
0,19
2У10ЗВ
0,21
КУ208
0,4
КУ238А, Б
0,39
2У111А-Г
0,19
2У215А, Б
0,19
2У701А-Г
0,19
КУ112 0,2
КУ215А, Б
0,39
2У706А, Б
0,19
2У113А, Б
0,19
2У220А-Е
0,19
2У707А, Б
0,19
Таблица ПВ.26
Полупроводниковые приборы (биполярные транзисторы кремниевые маломощные НЧ) (VТ)
Элемент
,1/ч10
6
0
Элемент
,1/ч10
6
0
Элемент
,1/ч10
6
0
2Т117
0,084
2Т214
0,013
КТ505
0,06
2Т118
0,09
2Т214
0,013
2Т505<Б.Т/О>
0,28
2Т201
0,09
2Т215
0,22
2Т505<С.Т/О>
0,62
2Т202
0,019
2Т3108
0,016
2Т506
0,24
2Т203
0,01
2Т364
0,016
2Т509
0,21
2Т208
0,04
КТ501…503
0,19
2Т708А-В
0,06
2Т211
0,019
2Т504
0,24
П306…309
0,06
Таблица ПВ.27
Полупроводниковые приборы (биполярные транзисторы кремниевые маломощные ВЧ) (VТ)
Элемент
,1/ч10
6
0
Элемент
,1/ч10
6
0
Элемент
,1/ч10
6
0
2Т311
0,11
2Т385
0,037
2Т630
0,16
2Т312
0,054
2ТЗ78
0,026
2Т632
0,8
2Т313
0,042
2Т388
0,032
2Т633
0,06
КТ315
0,29
КТ3102
0,18
2Т635
0,19
2Т317
0,06
КТ3117
0,074
2Т638
0,063
2Т321
0,034
2Т602
0,069
2Т643
0,06
КТ342
0,18
КТ603
0,052
2Т653
0,06
2Т354
0,04
КТ606
0,29
2Т664
0,06
2Т355
0,06
КТ608
0,26
2Т830, 831
0,06
2Т360
0,06
2Т625
0,036
2Т836
0,06
КТ361
0,29
2Т629
0,023
2Т880, 881
0,06

Страницы