Обеспечение надежности при проектировании РЭС. Бородин С.М. - 101 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

101
Продолжение приложения В
Таблица ПВ.28
Полупроводниковые приборы (биполярные транзисторы кремниевые маломощные СВЧ) (VТ)
Элемент
,1/ч10
6
0
Элемент
,1/ч10
6
0
Элемент
,1/ч10
6
0
2Т316 0,16
2Т3106 0,04
2Т647, 648 0,085
2Т318 0,11
2Т3114 0,085
2Т657, 658 0,085
2Т324 0,16
2Т3120А 0,18
2Т663 0,085
2Т326 0,36
2Т3121А-6 0,085
2Т665 0,085
2Т354 0,026
2Т3123 0,042
2Т671 0,085
2Т360 0,064
2Т3132 0,18
2Т679 0,085
2Т363 0,047
2Т3152 0,085
2Т688 0,06
2Т368 0,032
2Т606А 0,48
2Т689 0,085
2Т370 0,062
2Т607 0,12
2Т690 0,085
2Т371 0,11
2Т610 0,21
2Т693 0,085
2Т384 0,042
2Т624 0,055
2Т885 0,06
2Т392 0,088
2Т633 0,06
2Т968 0,06
2Т396 0,04
2Т634 0,085
2Т9117 0,085
2Т397 0,067
2Т640 0,085
2Т9153 0,06
2Т399 0,085
2Т642, 643 0,085
2Т9155, 9156 0,06
Таблица ПВ.29
Полупроводниковые приборы (биполярные транзисторы кремниевые мощные НЧ) (VТ)
Элемент
,1/ч10
6
0
Элемент
,1/ч10
6
0
Элемент
,1/ч10
6
0
П701
0,06
КТ809
0,37
2Т834
0,06
2Т709
0,06
2Т812
0,06
2Т837
0,06
2Т713
0,06
КТ814…817
0,19
2Т839…842
0,06
2Т716
0,06
2Т818, 819
0,06
2Т878
0,06
КТ803
0,06
КТ818, 819
0,19
2Т882…884
0,06
КТ808
0,044
2Т825…827
0,06
КТ8101, 8102
0,048
Таблица ПВ.30
Полупроводниковые приборы (биполярные транзисторы кремниевые мощные ВЧ) (VТ)
Элемент
,1/ч10
6
0
Элемент
,1/ч10
6
0
Элемент
,1/ч10
6
0
2Т903
0,06
2Т922
0,37
2Т933
0,85
2Т912
0,06
2Т928, 929
0,06
2Т947А
0,06
2Т920, 921
0,06
2Т932
0,06
2Т955…957
0,06
Таблица ПВ.31
Полупроводниковые приборы (биполярные транзисторы мощные СВЧ) (VТ)
Элемент
,1/ч10
6
0
Элемент
,1/ч10
6
0
Элемент
,1/ч10
6
0
2Т904
0,11
2Т911
0,06
2Т914 0,59
2Т908
0,11
2Т913 0,221 2Т916 0,48

Страницы