ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
17
подвижность электронов µ
n
=ν/Е. В этой области ток стока практически не зависит
от U
с
, но является функцией U
з
. Рост I
с
с уменьшением модуля U
з
объясняется
значением h
эфф
, что вытекает из выражения (1).
Рисунок 6 – Насыщение скорости
Мгновенное напряжение на стоке U
с
(t) может изменяться от нуля до
напряжения пробоя U
пр
. При отрицательном напряжении на затворе ток затвора
мал (десятки — сотни микроампер). Большинство транзисторов в усилителях
(особенно в линейных малосигнальных) работают в области насыщения
(подвижные носители заряда в канале двигаются со скоростью насыщения),
которая располагается между линейной областью и областью пробоя.
3. Область пробоя или область высоких электрических полей при больших
значениях U
си
(обычно 10 – 20В) зависит от тока стока и технологии
изготовления транзистора. Обычно предпринимаются существенные усилия для
увеличения пробивных напряжений, что особенно важно для повышения
выходной мощности и надёжности транзистора. В случае применения
транзистора в линейных и малошумящих усилителях эта область не является
важной, так как оптимальный режим работы транзистора не соответствует
возникновению в канале больших полей.
Из переходной характеристики I
с
= f(U
зи
) (рисунок 7) видно, что рабочим
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 13
- 14
- 15
- 16
- 17
- …
- следующая ›
- последняя »
