Полевой транзистор с барьером Шоттки - 16 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ЮФУ | Ростов-на-Дону

Составители: 

Рубрика: 

18
диапазоном изменения напряжения на затворе является участок отрицательных
напряжений U
з
от напряжения отсечки U
зи
до напряжения открывания барьера
Шоттки.
Рисунок 7 – Переходная характеристика ПТШ
Для маломощного GaAs ПТШ важными являются следующие параметры
на постоянном токе.
I
с нач
– начальный ток стока равный I
с нас
при U
зи
=0;
I
с нас
–
максимальный ток стока, соответствующий области насыщения.
Типичными значениями напряжений на выводах транзистора для этого тока
считаются: U
зи
=0В, U
си
=5В для мощных и U
си
=1,5-2В – для малошумящих ПТШ.
S – отношение ∆I
c
/∆U
зи
(крутизна характеристики), которое в области
насыщения является приблизительно постоянным;
U
зи отс
– напряжение отсечки, соответствующее отрицательному значению
напряжения на затворе, при котором ток стока уменьшается до нуля (I
с
= 10мкА).
Эти параметры связаны между собой приближенным соотношением I
с нас
=
SU
зи отс
.
Крутизна характеристики S и проводимость g
m
совпадают по физическому
смыслу (см. формулу (2)).

Страницы