Полевой транзистор с барьером Шоттки - 18 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ЮФУ | Ростов-на-Дону

Составители: 

Рубрика: 

20
U
I
g
ЗИ
U
m
∂
∂
=
,
С
Q
U
ЗИ
ЗИ
ЗИ
=
,
τ
ПР
И
I
Q
=
,
где Q
зи
– заряд на ёмкости C
зи
.
Поэтому характерной величиной, которую следует минимизировать,
является горизонтальная длина канала λ
к
или ширина дорожки затвора L.
Скорость электронов GаАs имеет предел ν
нас
≈1/10
7
м/с, поэтому усилия
разработчиков направлены на создание ПТШ с затвором субмикронных размеров
(L < 1мкм). Большое влияние на f
max
оказывает при этом возрастание R
з
, для его
снижения металлизацию затвора выполняют с отношением толщины к длине
большим единицы, уменьшают W.
Типичные значения f
max
дал современных GаAs ПТШ лежат в пределах 60 –
150ГГц.
6 ШУМОВЫЕ СВОЙСТВА ПТШ
Важнейшим преимуществом ПТШ, обусловившим их широкое применение
в приёмных устройствах, является малый уровень шумов. Шумы ПТШ
определяются основными составляющими: тепловой, фликкер-шум (или 1/f) и
дробовой.
Как известно, тепловой шум вызывается хаотическим движением носителей
заряда в проводящей среде,
создающим флуктуации тока и напряжения. Для
обычного сопротивления тепловой шум учитывается с помощью генератора тока:
I
ш
2
= 4kTG∆f (рисунок 8, а)
или генератора э.д.с.
U
ш
2
=2kTR∆f (рисунок 8, б),
где I
ш
2
и U
ш
2
– квадраты действующего шумового тока и напряжения (при
выражении этих величин квадратами они оказываются пропорциональными
мощности шумов);

Страницы