Полевой транзистор с барьером Шоттки - 20 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ЮФУ | Ростов-на-Дону

Составители: 

Рубрика: 

22
Учитывая низкочастотный 1/f-шум совместно с тепловым, получаем
выражение:
I
2
ш.m.f
= I
2
ш
(1+f
н
/), (14)
где f
н
- нижняя граничная частота, на которой 1/f- шум равен тепловому.
Источником дробового шума является ток утечки затвора I
т ут
. Протекая по
сопротивлению канала, ток утечки добавляет свою шумовую составляющую к
общим шумам транзистора. Но этот источник шума из-за малости I
з.ут
в полевых
транзисторах всех видов не является преобладающим и его обычно не учитывают.
Кроме того, в ПТШ имеют место шумы преобразования энергии при
столкновении электронов с кристаллической решеткой полупроводника и
примесями (шумы генерации – рекомбинации), а также шумы междолинного
рассеяния электронов, проявляющиеся только в GаАs при больших
напряженностях поля.
7 ВНЕШНИЕ ПАРАМЕТРЫ
ТРАНЗИСТОРОВ
Из-за сложности определения параметров эквивалентной схемы
(внутренних параметров) ею пользуются в основном разработчики ПТШ.
Потребитель часто представляет ПТШ как линейный четырехполюсник с
экспериментально определенными внешними параметрами.
Транзисторы СВЧ не принято характеризовать гибридными h-параметрами,
поскольку при их изменении на СВЧ вследствие сильного влияния паразитных L
и C практически невозможно обеспечить
режим холостого хода и короткого
замыкания. Измеренные же на сравнительно низких частотах h – параметры из-за
неизвестности точного закона их частотной зависимости не могут
характеризовать свойства ПТШ на СВЧ.
Наиболее удобны для описания свойств ПТШ его S-параметры –
комплексные элементы матрицы рассеяния, измеренные на рабочих частотах в

Страницы