Полевой транзистор с барьером Шоттки - 21 стр.

UptoLike

23
соответствующем рабочем режиме при включении ПТШ в стандартные линии
передачи Z
o
=50Ом.
7.1 S-параметры
При измерениях на СВЧ оперируют с величинами, характеризующими
волновой процесскоэффициентами отражения и передачи. Теорию СВЧ
многополюсников, построенную на основе этих понятий, легко сравнивать с
экспериментом. Поэтому особенно продуктивным оказывается метод матрицы
рассеяния S (от англ. scattering – рассеяние), введённый специально для анализа
СВЧ цепей. Вместо сопротивлений и проводимостей в
матрице рассеяния
используются комплексные коэффициент отражения и передачи волн по
напряжению между соответствующими парами полюсов.
Рисунок 9 – Транзистор как четырехполюсник
Если транзистор представить эквивалентной схемой четырехполюсника,
подключенного к двум однородным длинным линиям (рисунок 9), то можно
записать уравнения, определяющие линейную связь между падающими и
отраженными волнами на входе и выходе четырехполюсника в виде:
U
1отр
= S
11
U
1пад
+S
12
U
2отр
U
2пад
= S
21
U
1пад
+S
22
U
2отр
, (15)
Построенные по следующему правилу: в левой части уравнений стоят амплитуды
волн, распространяющихся от четырехполюсника (рассеиваемые), а в правой
сходящиеся к четырехполюснику (набегающие).