Полевой транзистор с барьером Шоттки - 19 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ЮФУ | Ростов-на-Дону

Составители: 

Рубрика: 

21
G=I/R – проводимость;
k – постоянная Больцмана;
Т – температура,
∆f – полоса частот, в пределах которой измеряется шум.
а) генератор тока; б) генератор напряжения
Рисунок 8 – Эквивалентная шумовая схема
В ПТШ источником теплового шума является сопротивление канала
постоянному току. Считая проводимость канала в рабочем режиме примерно
раной G
км
=G
к
/2=g
m
/2 получаем:
I
ш.m
=4kTg
m
∆f/2. (13)
На средних частотах транзистора этот источник шума является основным.
Фликкер-шум или 1/f-шум доминирует в области низких частот (f < 1ГГц),
его интенсивность возрастает примерно обратно пропорционально частоте
(отсюда и происходит название 1/f-шум). Источником 1/f-шума являются
произвольные локальные изменения электрических свойств материалов и их
поверхностных состояний. Появляются также дробовые шумы токов
утечки.
Поэтому особое внимание уделяется совершенствованию технологии
изготовления ПТШ с целью уменьшения естественных эффектов в
полупроводнике и на поверхности. Применение покрытия поликристаллической
пленкой GаАs снижает шумы, улучшает стабильность параметров и надежность
ПТШ.

Страницы