ВУЗ:
Составители:
34
вия, природы и концентрации примеси, которую специально вводят в по-
лупроводниковый материал для создания определенного типа и величины
проводимости.
Полупроводниковый материал, используемый для изготовления при-
боров, должен иметь очень высокую степень чистоты. Так, в кремнии (Si)
содержание случайных примесей не должно превышать 1⋅10
–11
%, в герма-
нии (Ge) – 5⋅10
–9
%, в селене (Se) – 8⋅10
–3
%. Высокая степень чистоты по-
лупроводниковых материалов достигается применением специальных
технологий. Наиболее эффективным способом очистки полупроводников
от примесей является метод зонной плавки.
Воспроизводимость характеристик полупроводниковых приборов во
многом зависит от структурного совершенства исходных кристаллов. По-
этому полупроводниковый материал должен иметь монокристаллическую
структуру. Наиболее совершенные монокристаллы получают методом
вытягивания из расплава (метод Чохральского).
Полупроводниковые материалы по химическому составу делят на
простые и сложные. Свойства полупроводников проявляют 12 химиче-
ских элементов таблицы Менделеева: германий, кремний, селен, теллур,
йод, бор, углерод, фосфор, сера, сурьма, мышьяк, серое олово (простые
полупроводники). Свойства некоторых простых полупроводников приве-
дены в табл. 3.1.
Полупроводниковые свойства проявляют и целый ряд органических
соединений (нафталин, антрацен, фталоцианин и др.).
3.1. Свойства некоторых простых полупроводников
Свойства Германий Кремний Селен
Атомный номер 32 14 34
Температура
плавления, °С
937 1412 218
Удельное сопротив-
ление при 20 °С, Ом⋅м
0,47
2⋅10
3
–
Собственная концен-
трация носителей, м
–3
2⋅10
19
2⋅10
16
–
Ширина запрещенной
зоны,
при 0 К 0,74 1,165 2,5
при 300 К 0,65 1,12 2,0
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 32
- 33
- 34
- 35
- 36
- …
- следующая ›
- последняя »
